DXT2222A-13 Diodes Incorporated
Hersteller: Diodes IncorporatedDescription: TRANS NPN 40V 0.6A SOT89-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 10nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: SOT-89-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 1 W
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| Anzahl | Preis ohne MwSt |
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Technische Details DXT2222A-13 Diodes Incorporated
Description: DIODES INC. - DXT2222A-13 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 40 V, 600 mA, 750 mW, SOT-89, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, DC-Stromverstärkung hFE: 100hFE, Dauer-Kollektorstrom: 600mA, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 750mW, euEccn: NLR, Verlustleistung: 750mW, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 40V, Anzahl der Pins: 3Pins, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, DC-Kollektorstrom: 600mA, Übergangsfrequenz: 300MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C.
Weitere Produktangebote DXT2222A-13 nach Preis ab 0.15 EUR bis 0.58 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||||
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DXT2222A-13 | Hersteller : Diodes Zetex |
Trans GP BJT NPN 40V 0.6A 1000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R |
auf Bestellung 1065 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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DXT2222A-13 | Hersteller : Diodes Zetex |
Trans GP BJT NPN 40V 0.6A 1000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R |
auf Bestellung 1065 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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DXT2222A-13 | Hersteller : Diodes Incorporated |
Bipolar Transistors - BJT 1000mW 40Vceo |
auf Bestellung 17592 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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DXT2222A-13 | Hersteller : Diodes Incorporated |
Description: TRANS NPN 40V 0.6A SOT89-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-243AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 10nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V Frequency - Transition: 300MHz Supplier Device Package: SOT-89-3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V Power - Max: 1 W |
auf Bestellung 204345 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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DXT2222A-13 | Hersteller : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DXT2222A-13 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 40 V, 600 mA, 750 mW, SOT-89, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Dauer-Kollektorstrom: 600mA usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 750mW Anzahl der Pins: 3Pins Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Übergangsfrequenz: 300MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C |
auf Bestellung 4305 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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DXT2222A-13 | Hersteller : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DXT2222A-13 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 40 V, 600 mA, 750 mW, SOT-89, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES DC-Stromverstärkung hFE: 100hFE Dauer-Kollektorstrom: 600mA usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 750mW euEccn: NLR Verlustleistung: 750mW Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 40V Anzahl der Pins: 3Pins Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V productTraceability: Yes-Date/Lot Code DC-Kollektorstrom: 600mA Übergangsfrequenz: 300MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C |
auf Bestellung 4305 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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DXT2222A-13 | Hersteller : Diodes Inc |
Trans GP BJT NPN 40V 0.6A 1000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R |
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