EGF1THE3/67A

EGF1THE3/67A

Hersteller: VISHAY
Material: EGF1THE3/67A SMD universal diodes
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Technische Details EGF1THE3/67A

Description: DIODE GEN PURP 1.3KV 1A DO214BA, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 3V @ 1A, Current - Average Rectified (Io): 1A, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1300V, Diode Type: Standard, Part Status: Active, Packaging: Digi-Reel® (Zusätzliche Zahlung für die Spule beträgt 7 $), Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C, Supplier Device Package: DO-214BA (GF1), Package / Case: DO-214BA, Mounting Type: Surface Mount, Current - Reverse Leakage @ Vr: 5µA @ 1300V, Reverse Recovery Time (trr): 75ns, Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io).

Preis EGF1THE3/67A ab 0 EUR bis 0 EUR

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Hersteller: VISHAY
Material: EGF1THE3/67A SMD universal diodes
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EGF1THE3/67A
Hersteller: Vishay
Diode Switching 1.3KV 1A Automotive 2-Pin DO-214BA T/R
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Hersteller: Vishay Semiconductors
Rectifiers 1300 Volt 1.0A 75ns Glass Passivated
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EGF1THE3/67A
Hersteller: Vishay Semiconductor Diodes Division
Description: DIODE GEN PURP 1.3KV 1A DO214BA
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 3V @ 1A
Current - Average Rectified (Io): 1A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1300V
Diode Type: Standard
Part Status: Active
Packaging: Digi-Reel® (Zusätzliche Zahlung für die Spule beträgt 7 $)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: DO-214BA (GF1)
Package / Case: DO-214BA
Mounting Type: Surface Mount
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5µA @ 1300V
Reverse Recovery Time (trr): 75ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
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EGF1THE3/67A
Hersteller: Vishay Semiconductor Diodes Division
Description: DIODE GEN PURP 1.3KV 1A DO214BA
Reverse Recovery Time (trr): 75ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 3V @ 1A
Current - Average Rectified (Io): 1A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1300V
Diode Type: Standard
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: DO-214BA (GF1)
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214BA
Mounting Type: Surface Mount
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5µA @ 1300V
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EGF1THE3/67A
EGF1THE3/67A
Hersteller: Vishay Semiconductor Diodes Division
Description: DIODE GEN PURP 1.3KV 1A DO214BA
Reverse Recovery Time (trr): 75ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 3V @ 1A
Current - Average Rectified (Io): 1A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1300V
Diode Type: Standard
Part Status: Active
Packaging: Tape & Reel (TR)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: DO-214BA (GF1)
Package / Case: DO-214BA
Mounting Type: Surface Mount
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5µA @ 1300V
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