FDB16AN08A0 onsemi / Fairchild
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Technische Details FDB16AN08A0 onsemi / Fairchild
Description: MOSFET N-CH 75V 9A/58A D2PAK, Packaging: Bulk, Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta), 58A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 58A, 10V, Power Dissipation (Max): 135W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: D2PAK (TO-263), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1857 pF @ 25 V.
Weitere Produktangebote FDB16AN08A0 nach Preis ab 3.56 EUR bis 3.56 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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Preis ohne MwSt | ||||
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| FDB16AN08A0 | Hersteller : Fairchild Semiconductor |
 Description: MOSFET N-CH 75V 9A/58A D2PAKPackaging: Bulk Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta), 58A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 58A, 10V Power Dissipation (Max): 135W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: D2PAK (TO-263) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1857 pF @ 25 V |
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| FDB16AN08A0 | Hersteller : fairchild |
07+ to-263/d2-pak |
auf Bestellung 30000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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| FDB16AN08A0 | Hersteller : fairchild |
to-263/d2-pak |
auf Bestellung 60000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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| FDB16AN08A0 | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDB16AN08A0 - MISCELLANEOUS MOSFETS tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: Y-EX euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 |
auf Bestellung 72 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FDB16AN08A0 | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 75V 9A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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FDB16AN08A0 | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDB16AN08A0 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 58 A, 0.016 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 75 Dauer-Drainstrom Id: 58 hazardous: false Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4 euEccn: NLR Verlustleistung: 135 Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: - Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10 Betriebstemperatur, max.: 175 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.016 SVHC: Lead (10-Jun-2022) |
Produkt ist nicht verfügbar |
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FDB16AN08A0 | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 75V 9A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |