FDD3706
FDD3706
Hersteller: ONN-Channel 20V 14.7A (Ta), 50A (Tc) 3.8W (Ta), 44W (Tc) Surface Mount D-PAK (TO-) Trans. FDD3706 DPAK TFDD3706
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Technische Details FDD3706
Description: MOSFET N-CH 20V 14.7A/50A DPAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14.7A (Ta), 50A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 16.2A, 10V, Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 44W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-252AA, Part Status: Obsolete, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V, Vgs (Max): ±12V, Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1882 pF @ 10 V.
Preis FDD3706 ab 1.67 EUR bis 1.67 EUR
 Hersteller: ON Semiconductor Trans MOSFET N-CH 20V 14.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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FDD3706 Hersteller: ONSEMI Material: FDD3706 SMD N channel transistors
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FDD3706 Hersteller: ONSEMI Material: FDD3706 SMD N channel transistors
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 Hersteller: ON Semiconductor / Fairchild MOSFET 20V N-Ch PowerTrench
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FDD3706 Hersteller: ON Semiconductor Trans MOSFET N-CH 20V 14.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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FDD3706 Hersteller: Rochester Electronics, LLC Description: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1 Packaging: Bulk Part Status: Active FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14.7A (Ta), 50A (Tc) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 16.2A, 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23nC @ 4.5V Vgs (Max): ±12V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1.882pF @ 10V Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 44W (Tc) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Supplier Device Package: D-PAK (TO-252AA) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
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auf Bestellung 10000 Stücke Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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FDD3706 Hersteller: Rochester Electronics, LLC Description: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1 Packaging: Bulk Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14.7A (Ta), 50A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 16.2A, 10V Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 44W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1882 pF @ 10 V
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 Hersteller: onsemi Description: MOSFET N-CH 20V 14.7A/50A DPAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14.7A (Ta), 50A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 16.2A, 10V Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 44W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1882 pF @ 10 V
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Hersteller: onsemi Description: MOSFET N-CH 20V 14.7A/50A DPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14.7A (Ta), 50A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 16.2A, 10V Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 44W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1882 pF @ 10 V
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