FDD6N25TM
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Technische Details FDD6N25TM
Description: MOSFET N-CH 250V 4.4A DPAK, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1Ohm @ 2.2A, 10V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.4A (Tc), Drain to Source Voltage (Vdss): 250V, Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Part Status: Active, Packaging: Tape & Reel (TR), Manufacturer: onsemi, Base Part Number: FDD6N25, Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Supplier Device Package: TO-252AA, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Power Dissipation (Max): 50W (Tc), Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 250pF @ 25V, Vgs (Max): ±30V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6nC @ 10V, Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA.
Preis FDD6N25TM ab 0.34 EUR bis 1.39 EUR
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FDD6N25TM Hersteller: ON N-Channel 250V 4.4A (Tc) 50W (Tc) Surface Mount D-Pak Trans. FDD6N25TM DPAK TFDD6N25TM Anzahl je Verpackung: 10 Stücke 
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auf Bestellung 10 Stücke  Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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FDD6N25TM Hersteller: ONSEMI Material: FDD6N25TM SMD N channel transistors
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FDD6N25TM Hersteller: ONSEMI Material: FDD6N25TM SMD N channel transistors
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FDD6N25TM Hersteller: ON Semiconductor Trans MOSFET N-CH 250V 4.4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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 Hersteller: onsemi / Fairchild MOSFET 250V N-CH MOSFET
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auf Bestellung 26495 Stücke Lieferzeit 14-28 Tag (e) |
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Hersteller: ON Semiconductor / Fairchild MOSFET 250V N-CH MOSFET
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auf Bestellung 26696 Stücke Lieferzeit 14-28 Tag (e) |
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 Hersteller: onsemi Description: MOSFET N-CH 250V 4.4A DPAK Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1Ohm @ 2.2A, 10V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.4A (Tc) Drain to Source Voltage (Vdss): 250V Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Part Status: Active Packaging: Tape & Reel (TR) Manufacturer: onsemi Base Part Number: FDD6N25 Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Supplier Device Package: TO-252AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Power Dissipation (Max): 50W (Tc) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 250pF @ 25V Vgs (Max): ±30V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
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auf Bestellung 2500 Stücke Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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Hersteller: onsemi Description: MOSFET N-CH 250V 4.4A DPAK Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Part Status: Active Packaging: Cut Tape (CT) Manufacturer: onsemi Base Part Number: FDD6N25 Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Supplier Device Package: TO-252AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Power Dissipation (Max): 50W (Tc) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 250pF @ 25V Vgs (Max): ±30V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1Ohm @ 2.2A, 10V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.4A (Tc) Drain to Source Voltage (Vdss): 250V
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auf Bestellung 3776 Stücke Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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