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FDD8796

FDD8796 ON Semiconductor

fdd8796-d.pdf Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 25V 35A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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Technische Details FDD8796 ON Semiconductor

Description: MOSFET N-CH 25V 35A TO252AA, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.7mOhm @ 35A, 10V, Power Dissipation (Max): 88W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-252AA, Part Status: Obsolete, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2610 pF @ 13 V.

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FDD8796 FDD8796 Hersteller : Fairchild Semiconductor FAIR-S-A0002366283-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.7mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 88W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2610 pF @ 13 V
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FDD8796 FDD8796 Hersteller : UMW 712dfd2402c9cd3b935c11b1bb207f10.pdf Description: MOSFET N-CH 25V 35A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
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Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
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FDD8796 FDD8796 Hersteller : UMW 712dfd2402c9cd3b935c11b1bb207f10.pdf Description: MOSFET N-CH 25V 35A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
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