FDH210N08

FDH210N08

Hersteller: ONSEMI
Material: FDH210N08 THT N channel transistors
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Technische Details FDH210N08

Description: MOSFET N-CH 75V TO247-3, Package / Case: TO-247-3, Packaging: Tube, Power Dissipation (Max): 462W (Tc), Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 210A (Tc), Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V, Vgs (Max): ±20V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Part Status: Active, Supplier Device Package: TO-247-3, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Mounting Type: Through Hole, FET Type: N-Channel.

Preis FDH210N08 ab 0 EUR bis 0 EUR

FDH210N08
Hersteller: ONSEMI
Material: FDH210N08 THT N channel transistors
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FDH210N08
Hersteller: onsemi / Fairchild
MOSFET 75V, 210A NCH MOSFET
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Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 75V 210A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
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FDH210N08
Hersteller: ON Semiconductor / Fairchild
MOSFET 75V, 210A NCH MOSFET
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FDH210N08
FDH210N08
Hersteller: onsemi
Description: MOSFET N-CH 75V TO247-3
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
Power Dissipation (Max): 462W (Tc)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 210A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-247-3
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
FET Type: N-Channel
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FDH210N08
FDH210N08
Hersteller: Fairchild Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 75V TO247-3
Power Dissipation (Max): 462W (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Bulk
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-247-3
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