FDH210N08
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Technische Details FDH210N08
Description: MOSFET N-CH 75V TO247-3, Package / Case: TO-247-3, Packaging: Tube, Power Dissipation (Max): 462W (Tc), Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 210A (Tc), Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V, Vgs (Max): ±20V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Part Status: Active, Supplier Device Package: TO-247-3, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Mounting Type: Through Hole, FET Type: N-Channel.
Preis FDH210N08 ab 0 EUR bis 0 EUR
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FDH210N08 Hersteller: ONSEMI Material: FDH210N08 THT N channel transistors 
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 Hersteller: onsemi / Fairchild MOSFET 75V, 210A NCH MOSFET
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auf Bestellung 900 Stücke  Lieferzeit 14-28 Tag (e) |
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FDH210N08 Hersteller: ON Semiconductor Trans MOSFET N-CH 75V 210A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
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Hersteller: ON Semiconductor / Fairchild MOSFET 75V, 210A NCH MOSFET
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auf Bestellung 135 Stücke Lieferzeit 14-28 Tag (e) |
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 Hersteller: onsemi Description: MOSFET N-CH 75V TO247-3 Package / Case: TO-247-3 Packaging: Tube Power Dissipation (Max): 462W (Tc) Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 210A (Tc) Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Active Supplier Device Package: TO-247-3 Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Through Hole FET Type: N-Channel
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 Hersteller: Fairchild Semiconductor Description: MOSFET N-CH 75V TO247-3 Power Dissipation (Max): 462W (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-247-3 Packaging: Bulk Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Active Supplier Device Package: TO-247-3
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