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Technische Details FDH210N08 onsemi / Fairchild
Category: THT N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 132A; Idm: 840A; 462W; TO247, Mounting: THT, Pulsed drain current: 840A, Power dissipation: 462W, Gate charge: 301nC, Polarisation: unipolar, Drain current: 132A, Kind of channel: enhanced, Drain-source voltage: 75V, Type of transistor: N-MOSFET, Gate-source voltage: ±20V, Kind of package: tube, Case: TO247, On-state resistance: 5.5mΩ, Anzahl je Verpackung: 1 Stücke.
Weitere Produktangebote FDH210N08
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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Preis ohne MwSt |
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FDH210N08 | Hersteller : ONSEMI |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 132A; Idm: 840A; 462W; TO247 Mounting: THT Pulsed drain current: 840A Power dissipation: 462W Gate charge: 301nC Polarisation: unipolar Drain current: 132A Kind of channel: enhanced Drain-source voltage: 75V Type of transistor: N-MOSFET Gate-source voltage: ±20V Kind of package: tube Case: TO247 On-state resistance: 5.5mΩ Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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FDH210N08 | Hersteller : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 75V TO247-3 |
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FDH210N08 | Hersteller : Fairchild Semiconductor |
Description: MOSFET N-CH 75V TO247-3 |
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FDH210N08 | Hersteller : ONSEMI |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 132A; Idm: 840A; 462W; TO247 Mounting: THT Pulsed drain current: 840A Power dissipation: 462W Gate charge: 301nC Polarisation: unipolar Drain current: 132A Kind of channel: enhanced Drain-source voltage: 75V Type of transistor: N-MOSFET Gate-source voltage: ±20V Kind of package: tube Case: TO247 On-state resistance: 5.5mΩ |
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