FDH3632
Technische Details FDH3632
Description: MOSFET N-CH 100V 12A/80A TO247-3, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Vgs (Max): ±20V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V, Part Status: Active, Supplier Device Package: TO-247-3, Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Power Dissipation (Max): 310W (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 80A, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta), 80A (Tc), FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Mounting Type: Through Hole, Package / Case: TO-247-3, Packaging: Tube, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6000 pF @ 25 V.
Preis FDH3632 ab 0 EUR bis 0 EUR
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FDH3632 Hersteller: ONSEMI Material: FDH3632 THT N channel transistors 
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FDH3632 Hersteller: ONSEMI Material: FDH3632 THT N channel transistors
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 Hersteller: ON Semiconductor / Fairchild MOSFET TO-247 / FDH3632
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auf Bestellung 899 Stücke  Lieferzeit 14-28 Tag (e) |
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FDH3632 Hersteller: ON Semiconductor Trans MOSFET N-CH 100V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
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Hersteller: onsemi / Fairchild MOSFET TO-247 / FDH3632
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auf Bestellung 640 Stücke Lieferzeit 14-28 Tag (e) |
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 Hersteller: onsemi Description: MOSFET N-CH 100V 12A/80A TO247-3 Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Part Status: Active Supplier Device Package: TO-247-3 Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Power Dissipation (Max): 310W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 80A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta), 80A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-247-3 Packaging: Tube Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6000 pF @ 25 V
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