FDH50N50_F133
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Technische Details FDH50N50_F133
Description: MOSFET N-CH 500V 48A TO247-3, Package / Case: TO-247-3, Supplier Device Package: TO-247-3, Packaging: Tube, Manufacturer: onsemi, Mounting Type: Through Hole, Base Part Number: FDH50N50, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Power Dissipation (Max): 625W (Tc), Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6460pF @ 25V, Vgs (Max): ±20V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 137nC @ 10V, Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 24A, 10V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 48A (Tc), Drain to Source Voltage (Vdss): 500V, Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Part Status: Active.
Preis FDH50N50_F133 ab 4.81 EUR bis 9.06 EUR
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FDH50N50-F133 Hersteller: ONSEMI Material: FDH50N50-F133 THT N channel transistors 
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 Hersteller: ON Semiconductor Trans MOSFET N-CH 500V 48A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
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350 Stücke |
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FDH50N50-F133 Hersteller: ONSEMI Material: FDH50N50-F133 THT N channel transistors
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FDH50N50_F133 Hersteller: FDH50N50_F133 MOSFET N-CH 500V 48A TO-247
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FDH50N50_F133 Hersteller: ON Semiconductor Trans MOSFET N-CH 500V 48A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
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 Hersteller: onsemi / Fairchild MOSFET N-CH/500V/50A
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Hersteller: ON Semiconductor / Fairchild MOSFET N-CH/500V/50A
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 Hersteller: onsemi Description: MOSFET N-CH 500V 48A TO247-3 Package / Case: TO-247-3 Supplier Device Package: TO-247-3 Packaging: Tube Manufacturer: onsemi Mounting Type: Through Hole Base Part Number: FDH50N50 Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Power Dissipation (Max): 625W (Tc) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6460pF @ 25V Vgs (Max): ±20V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 137nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 24A, 10V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 48A (Tc) Drain to Source Voltage (Vdss): 500V Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Part Status: Active
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 Hersteller: Fairchild Semiconductor Description: MOSFET N-CH 500V 48A TO247 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6460pF @ 25V Vgs (Max): ±20V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 137nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 24A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 48A (Tc) Drain to Source Voltage (Vdss): 500V Technology: MOSFET (Metal Oxide) Part Status: Active FET Type: N-Channel Packaging: Bulk Manufacturer: Rochester Electronics, LLC Package / Case: TO-247-3 Supplier Device Package: TO-247 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Power Dissipation (Max): 625W (Tc)
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