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FDP3651U

FDP3651U ON Semiconductor

3650005245586517fdp3651u.pdf Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 100V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
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Technische Details FDP3651U ON Semiconductor

Description: ONSEMI - FDP3651U - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 80 A, 0.018 ohm, TO-220, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 80A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 255W, Bauform - Transistor: TO-220, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.018ohm.

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FDP3651U FDP3651U Hersteller : ON Semiconductor 3650005245586517fdp3651u.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
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FDP3651U FDP3651U Hersteller : onsemi / Fairchild FDP3651U_D-2312531.pdf MOSFET 100V 80A 18 mOHM NCH POWER TREN
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FDP3651U FDP3651U Hersteller : onsemi fdp3651u-d.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 80A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 255W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 69 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5522 pF @ 25 V
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FDP3651U FDP3651U Hersteller : ONSEMI fdp3651u-d.pdf FAIRS45687-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: ONSEMI - FDP3651U - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 80 A, 0.018 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 255W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.018ohm
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FDP3651U
Produktcode: 144911 		fdp3651u-d.pdf FAIRS45687-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Transistoren > MOSFET N-CH
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FDP3651U FDP3651U Hersteller : ON Semiconductor 3650005245586517fdp3651u.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
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FDP3651U FDP3651U Hersteller : ON Semiconductor 3650005245586517fdp3651u.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
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FDP3651U FDP3651U Hersteller : ON Semiconductor 3650005245586517fdp3651u.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
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FDP3651U FDP3651U Hersteller : ONSEMI FDP3651U.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 80A; 255W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 80A
Power dissipation: 255W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 37mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 9.8nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 800 Stücke
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FDP3651U FDP3651U Hersteller : Fairchild Semiconductor FAIRS45687-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 8
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 255W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 69 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5522 pF @ 25 V
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FDP3651U FDP3651U Hersteller : ONSEMI FDP3651U.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 80A; 255W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 80A
Power dissipation: 255W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 37mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 9.8nC
Kind of package: tube
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