FDPF15N65

FDPF15N65

Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 650V 15A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
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Technische Details FDPF15N65

Description: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1, Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V, Vgs (Max): ±30V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Part Status: Active, Supplier Device Package: TO-220F-3, Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA, Power Dissipation (Max): 38.5W (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 440mOhm @ 7.5A, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc), FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Mounting Type: Through Hole, Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Packaging: Bulk, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3095 pF @ 25 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V.

Preis FDPF15N65 ab 1.96 EUR bis 8.01 EUR

FDPF15N65
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 650V 15A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
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FDPF15N65
FDPF15N65
Hersteller: onsemi / Fairchild
MOSFET 650V 15A 0.44OHMS NCH POWER TRENCH
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Hersteller: FAIRCHILD

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Hersteller: ONSEMI
Material: FDPF15N65 THT N channel transistors
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Hersteller: ON Semiconductor
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Material: FDPF15N65 THT N channel transistors
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Hersteller: ON Semiconductor / Fairchild
MOSFET 650V 15A 0.44OHMS NCH POWER TRENCH
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Hersteller: onsemi
Description: MOSFET N-CH 650V 15A TO220F
Power Dissipation (Max): 38.5W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 440mOhm @ 7.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3095 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-220F-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
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FDPF15N65
Hersteller: Fairchild Semiconductor
Description: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-220F-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 38.5W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 440mOhm @ 7.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
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Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3095 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
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