FDPF15N65
Informationen zu Lagerverfügbarkeit und Lieferzeiten
auf Bestellung 1368 Stücke
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
auf Bestellung 1368 Stücke
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Technische Details FDPF15N65
Description: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1, Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V, Vgs (Max): ±30V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Part Status: Active, Supplier Device Package: TO-220F-3, Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA, Power Dissipation (Max): 38.5W (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 440mOhm @ 7.5A, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc), FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Mounting Type: Through Hole, Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Packaging: Bulk, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3095 pF @ 25 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V.
Preis FDPF15N65 ab 1.96 EUR bis 8.01 EUR
|
FDPF15N65 Hersteller: ON Semiconductor Trans MOSFET N-CH 650V 15A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube 
|
auf Bestellung 1000 Stücke Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
|
||||||||||
 Hersteller: onsemi / Fairchild MOSFET 650V 15A 0.44OHMS NCH POWER TRENCH
|
auf Bestellung 1067 Stücke Lieferzeit 14-28 Tag (e) |
|
|
||||||||||
|
FDPF15N65 Hersteller: FAIRCHILD
|
114000 Stücke |
|
|
||||||||||
|
FDPF15N65 Hersteller: ONSEMI Material: FDPF15N65 THT N channel transistors
|
Produkt ist nicht verfügbar, Sie können Anfrage senden wenn Sie Produkt in den Warenkorb hinzufügen |
|
|||||||||||
 Hersteller: ON Semiconductor Trans MOSFET N-CH 650V 15A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
|
Produkt ist nicht verfügbar, Sie können Anfrage senden wenn Sie Produkt in den Warenkorb hinzufügen |
|
|||||||||||
|
FDPF15N65 Hersteller: ONSEMI Material: FDPF15N65 THT N channel transistors
|
Produkt ist nicht verfügbar, Sie können Anfrage senden wenn Sie Produkt in den Warenkorb hinzufügen |
|
|||||||||||
|
Hersteller: ON Semiconductor / Fairchild MOSFET 650V 15A 0.44OHMS NCH POWER TRENCH
|
auf Bestellung 1000 Stücke Lieferzeit 14-28 Tag (e) |
|
|
||||||||||
 Hersteller: onsemi Description: MOSFET N-CH 650V 15A TO220F Power Dissipation (Max): 38.5W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 440mOhm @ 7.5A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-220-3 Full Pack Packaging: Tube Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3095 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Vgs (Max): ±30V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Active Supplier Device Package: TO-220F-3 Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
|
Produkt ist nicht verfügbar, Sie können Anfrage senden wenn Sie Produkt in den Warenkorb hinzufügen |
|
|||||||||||
 Hersteller: Fairchild Semiconductor Description: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1 Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Vgs (Max): ±30V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Active Supplier Device Package: TO-220F-3 Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Power Dissipation (Max): 38.5W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 440mOhm @ 7.5A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-220-3 Full Pack Packaging: Bulk Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3095 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
|
Produkt ist nicht verfügbar, Sie können Anfrage senden wenn Sie Produkt in den Warenkorb hinzufügen |
|