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FDS3601

FDS3601 Fairchild Semiconductor

FAIRS16793-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Hersteller: Fairchild Semiconductor
Description: MOSFET 2N-CH 100V 1.3A 8SOIC
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 900mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.3A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 153pF @ 50V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 480mOhm @ 1.3A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
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Technische Details FDS3601 Fairchild Semiconductor

Description: MOSFET 2N-CH 100V 1.3A 8SOIC, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width), Mounting Type: Surface Mount, Configuration: 2 N-Channel (Dual), Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 900mW, Drain to Source Voltage (Vdss): 100V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.3A, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 153pF @ 50V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 480mOhm @ 1.3A, 10V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5nC @ 10V, FET Feature: Logic Level Gate, Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-SOIC.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis ohne MwSt
FDS3601 FDS3601 Hersteller : ONSEMI FAIRS16793-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: ONSEMI - FDS3601 - MISCELLANEOUS MOSFETS
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FDS3601 Hersteller : FAIRCHILD FDS3601.pdf FAIRS16793-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw SO-8
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FDS3601 Hersteller : FSC FDS3601.pdf FAIRS16793-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw 0430+ SOP-8
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FDS3601 FDS3601 Hersteller : ON Semiconductor 813973714902598fds3601.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 1.3A 8-Pin SOIC N T/R
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FDS3601 FDS3601 Hersteller : onsemi FDS3601.pdf Description: MOSFET 2N-CH 100V 1.3A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 900mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.3A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 153pF @ 50V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 480mOhm @ 1.3A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
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Supplier Device Package: 8-SOIC
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FDS3601 FDS3601 Hersteller : onsemi / Fairchild FDS3601-1305819.pdf MOSFET SO-8
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