FDT86246

FDT86246

Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 150V 2A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
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Technische Details FDT86246

Description: MOSFET N-CH 150V 2A SOT223-4, FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: TO-261-4, TO-261AA, Packaging: Tape & Reel (TR), Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 215 pF @ 75 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4 nC @ 10 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V, Vgs (Max): ±20V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V, Part Status: Active, Supplier Device Package: SOT-223-4, Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Power Dissipation (Max): 2.2W (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 236mOhm @ 2A, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta).

Preis FDT86246 ab 0.47 EUR bis 3.15 EUR

FDT86246
FDT86246
Hersteller: ON Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 150V 2A SOT223-4
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 215 pF @ 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-223-4
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.2W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 236mOhm @ 2A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
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Hersteller: FAIRCHILD
Trans MOSFET N-CH 150V 2A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 Trans FDT86246 SOT223 TFDT86246
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FDT86246
Hersteller: ON Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 150V 2A SOT-223
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 215 pF @ 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-223-4
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.2W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 236mOhm @ 2A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
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Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 150V 2A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
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Hersteller: ON Semiconductor / Fairchild
MOSFET 150V N-Channel PowerTrench MOSFET
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