FGA3060ADF

FGA3060ADF

FGA3060ADF

Hersteller: Fairchild Semiconductor
Description: INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO
Test Condition: 400V, 30A, 6Ohm, 15V
Switching Energy: 960µJ (on), 165µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C: 12ns/42.4ns
IGBT Type: Trench Field Stop
Supplier Device Package: TO-3PN
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 30A
Reverse Recovery Time (trr): 26 ns
Input Type: Standard
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Packaging: Bulk
Gate Charge: 37.4 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 60 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 90 A
Power - Max: 176 W

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Technische Details FGA3060ADF

Description: INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO, Test Condition: 400V, 30A, 6Ohm, 15V, Switching Energy: 960µJ (on), 165µJ (off), Td (on/off) @ 25°C: 12ns/42.4ns, IGBT Type: Trench Field Stop, Supplier Device Package: TO-3PN, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 30A, Reverse Recovery Time (trr): 26 ns, Input Type: Standard, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Mounting Type: Through Hole, Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3, Packaging: Bulk, Gate Charge: 37.4 nC, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 60 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 90 A, Power - Max: 176 W.

Preis FGA3060ADF ab 3.04 EUR bis 4.95 EUR

FGA3060ADF
FGA3060ADF
Hersteller: onsemi
Description: INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO
Current - Collector Pulsed (Icm): 90 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector (Ic) (Max): 60 A
Part Status: Active
Gate Charge: 37.4 nC
Test Condition: 400V, 30A, 6Ohm, 15V
Switching Energy: 960µJ (on), 165µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C: 12ns/42.4ns
IGBT Type: Trench Field Stop
Supplier Device Package: TO-3PN
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 30A
Reverse Recovery Time (trr): 26 ns
Input Type: Standard
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Power - Max: 176 W
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Packaging: Bulk
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FGA3060ADF
Hersteller: onsemi
Description: IGBT TRENCH/FS 600V 60A TO3PN
Current - Collector Pulsed (Icm): 90 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector (Ic) (Max): 60 A
Part Status: Active
Gate Charge: 37.4 nC
Test Condition: 400V, 30A, 6Ohm, 15V
Switching Energy: 960µJ (on), 165µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C: 12ns/42.4ns
IGBT Type: Trench Field Stop
Supplier Device Package: TO-3PN
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 30A
Reverse Recovery Time (trr): 26 ns
Power - Max: 176 W
Input Type: Standard
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Packaging: Tube
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450+ 4.48 EUR
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Hersteller: ON Semiconductor
Trans IGBT Chip N-CH 600V 60A 176000mW 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube
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Hersteller: ON Semiconductor
Trans IGBT Chip N-CH 600V 60A 176000mW 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube
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Hersteller: ON Semiconductor

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Hersteller: onsemi / Fairchild
IGBT Transistors 600V proliferation PFC home application
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Hersteller: ON Semiconductor
Trans IGBT Chip N-CH 600V 60A 176000mW 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube
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Hersteller: ON Semiconductor / Fairchild
IGBT Transistors 600V proliferation PFC home application
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Hersteller: ON Semiconductor
Trans IGBT Chip N-CH 600V 60A 176000mW 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube
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Hersteller: ON Semiconductor
Trans IGBT Chip N-CH 600V 60A 176000mW 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube
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