FGA30N65SMD

FGA30N65SMD

Hersteller: Fairchild Semiconductor
Description: INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO
Input Type: Standard
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Packaging: Bulk
Power - Max: 300 W
Current - Collector Pulsed (Icm): 90 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector (Ic) (Max): 60 A
Part Status: Active
Gate Charge: 87 nC
Test Condition: 400V, 30A, 6Ohm, 15V
Switching Energy: 716µJ (on), 208µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C: 14ns/102ns
IGBT Type: Field Stop
Supplier Device Package: TO-3PN
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 30A
Reverse Recovery Time (trr): 35 ns

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Technische Details FGA30N65SMD

Description: INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO, Input Type: Standard, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Mounting Type: Through Hole, Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3, Packaging: Bulk, Power - Max: 300 W, Current - Collector Pulsed (Icm): 90 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V, Current - Collector (Ic) (Max): 60 A, Part Status: Active, Gate Charge: 87 nC, Test Condition: 400V, 30A, 6Ohm, 15V, Switching Energy: 716µJ (on), 208µJ (off), Td (on/off) @ 25°C: 14ns/102ns, IGBT Type: Field Stop, Supplier Device Package: TO-3PN, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 30A, Reverse Recovery Time (trr): 35 ns.

Preis FGA30N65SMD ab 4.63 EUR bis 4.63 EUR

FGA30N65SMD
FGA30N65SMD
Hersteller: ON Semiconductor
Trans IGBT Chip N-CH 650V 60A 300000mW 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube
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Hersteller: ON Semiconductor

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Hersteller: onsemi / Fairchild
IGBT Transistors IGBT, 650V, 30A, Field Stop
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Hersteller: ON Semiconductor / Fairchild
IGBT Transistors FS2PIGBT TO3PN 30A 650V
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Hersteller: ON Semiconductor
Trans IGBT Chip N-CH 650V 60A 300000mW 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube
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Hersteller: TE Connectivity
TE Connectivity
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FGA30N65SMD
FGA30N65SMD
Hersteller: ON Semiconductor
Description: IGBT FIELD STOP 650V 60A TO3PN
Packaging: Tube
Part Status: Last Time Buy
IGBT Type: Field Stop
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650V
Current - Collector (Ic) (Max): 60A
Current - Collector Pulsed (Icm): 90A
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 30A
Power - Max: 300W
Switching Energy: 716µJ (on), 208µJ (off)
Input Type: Standard
Gate Charge: 87nC
Td (on/off) @ 25°C: 14ns/102ns
Test Condition: 400V, 30A, 6Ohm, 15V
Reverse Recovery Time (trr): 35ns
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Supplier Device Package: TO-3PN
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