FGA30N65SMD onsemi / Fairchild
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Technische Details FGA30N65SMD onsemi / Fairchild
Description: IGBT FIELD STOP 650V 60A TO3PN, Packaging: Tube, Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 35 ns, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 30A, Supplier Device Package: TO-3PN, IGBT Type: Field Stop, Td (on/off) @ 25°C: 14ns/102ns, Switching Energy: 716µJ (on), 208µJ (off), Test Condition: 400V, 30A, 6Ohm, 15V, Gate Charge: 87 nC, Current - Collector (Ic) (Max): 60 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 90 A, Power - Max: 300 W.
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| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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Preis ohne MwSt |
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| FGA30N65SMD | Hersteller : ON Semiconductor |
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FGA30N65SMD | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans IGBT Chip N-CH 650V 60A 300000mW 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube |
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FGA30N65SMD | Hersteller : onsemi |
Description: IGBT FIELD STOP 650V 60A TO3PN Packaging: Tube Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 35 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 30A Supplier Device Package: TO-3PN IGBT Type: Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 14ns/102ns Switching Energy: 716µJ (on), 208µJ (off) Test Condition: 400V, 30A, 6Ohm, 15V Gate Charge: 87 nC Current - Collector (Ic) (Max): 60 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V Current - Collector Pulsed (Icm): 90 A Power - Max: 300 W |
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| FGA30N65SMD | Hersteller : TE Connectivity |
TE Connectivity |
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