FGAF40N60SMD ON Semiconductor
| Anzahl | Preis |
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| 360+ | 3.23 EUR |
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Technische Details FGAF40N60SMD ON Semiconductor
Description: IGBT FIELD STOP 600V 80A TO-3PF, Packaging: Tube, Package / Case: TO-3P-3 Full Pack, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 36 ns, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 40A, Supplier Device Package: TO-3PF, IGBT Type: Field Stop, Td (on/off) @ 25°C: 12ns/92ns, Switching Energy: 870µJ (on), 260µJ (off), Test Condition: 400V, 40A, 6Ohm, 15V, Gate Charge: 119 nC, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 80 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A, Power - Max: 115 W.
Weitere Produktangebote FGAF40N60SMD nach Preis ab 3.25 EUR bis 13.93 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||
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FGAF40N60SMD | Hersteller : ON Semiconductor |
 Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 115W 3-Pin(3+Tab) TO-3PF Tube |
auf Bestellung 360 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FGAF40N60SMD | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 115W 3-Pin(3+Tab) TO-3PF Tube |
auf Bestellung 360 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FGAF40N60SMD | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 115W 3-Pin(3+Tab) TO-3PF Tube |
auf Bestellung 330 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FGAF40N60SMD | Hersteller : onsemi |
IGBTs 600 V 80 A 79 W |
auf Bestellung 521 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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FGAF40N60SMD | Hersteller : onsemi |
Description: IGBT FIELD STOP 600V 80A TO-3PF Packaging: Tube Package / Case: TO-3P-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 36 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 40A Supplier Device Package: TO-3PF IGBT Type: Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 12ns/92ns Switching Energy: 870µJ (on), 260µJ (off) Test Condition: 400V, 40A, 6Ohm, 15V Gate Charge: 119 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 80 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A Power - Max: 115 W |
auf Bestellung 258 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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FGAF40N60SMD | Hersteller : ON-Semiconductor |
IGBT 600V 80A 115W FGAF40N60SMD TFGAF40N60smd Anzahl je Verpackung: 2 Stücke |
auf Bestellung 18 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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FGAF40N60SMD | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 115W 3-Pin(3+Tab) TO-3PF Tube |
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| FGAF40N60SMD | Hersteller : ONS/FAI |
IGBT 600V 80A 79W TO-3PF Група товару: Транзистори Од. вим: шт |
Produkt ist nicht verfügbar |
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| FGAF40N60SMD | Hersteller : TE Connectivity |
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Produkt ist nicht verfügbar |
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| FGAF40N60SMD | Hersteller : ONSEMI |
Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 600V; 40A; 58W; TO3PF Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 600V Collector current: 40A Power dissipation: 58W Case: TO3PF Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 120A Mounting: THT Gate charge: 119nC Kind of package: tube |
Produkt ist nicht verfügbar |