FGP10N60UNDF ON Semiconductor
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Technische Details FGP10N60UNDF ON Semiconductor
Description: ONSEMI - FGP10N60UNDF - IGBT, 139 W, 600 V, TO-220, 3 Pin(s), tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 60hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Dauer-Kollektorstrom: 20A, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 139W, Bauform - Transistor: TO-220, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: PW Series, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: -, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (14-Jun-2023).
Weitere Produktangebote FGP10N60UNDF nach Preis ab 1.23 EUR bis 4.65 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||
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FGP10N60UNDF | Hersteller : ON Semiconductor |
 Trans IGBT Chip N-CH 600V 20A 139mW 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
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FGP10N60UNDF | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans IGBT Chip N-CH 600V 20A 139mW 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
auf Bestellung 9600 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FGP10N60UNDF | Hersteller : Fairchild Semiconductor |
Description: FGP10N60UNDF - IGBT, 600V, 10A, Packaging: Bulk |
auf Bestellung 800 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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FGP10N60UNDF | Hersteller : onsemi |
Description: IGBT NPT 600V 20A TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 37.7 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.45V @ 15V, 10A Supplier Device Package: TO-220-3 IGBT Type: NPT Td (on/off) @ 25°C: 8ns/52.2ns Switching Energy: 150µJ (on), 50µJ (off) Test Condition: 400V, 10A, 10Ohm, 15V Gate Charge: 37 nC Current - Collector (Ic) (Max): 20 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 30 A Power - Max: 139 W |
auf Bestellung 150 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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FGP10N60UNDF | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - FGP10N60UNDF - IGBT, 139 W, 600 V, TO-220, 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 60hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 20A usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 139W Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: PW Series Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: - Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
auf Bestellung 42400 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FGP10N60UNDF | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans IGBT Chip N-CH 600V 20A 139000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
Produkt ist nicht verfügbar |