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FGP10N60UNDF

FGP10N60UNDF ON Semiconductor


3663440396897075fgp10n60undf.pdf Hersteller: ON Semiconductor
Trans IGBT Chip N-CH 600V 20A 139mW 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
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Technische Details FGP10N60UNDF ON Semiconductor

Description: IGBT NPT 600V 20A TO-220-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 37.7 ns, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.45V @ 15V, 10A, Supplier Device Package: TO-220-3, IGBT Type: NPT, Td (on/off) @ 25°C: 8ns/52.2ns, Switching Energy: 150µJ (on), 50µJ (off), Test Condition: 400V, 10A, 10Ohm, 15V, Gate Charge: 37 nC, Current - Collector (Ic) (Max): 20 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 30 A, Power - Max: 139 W.

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FGP10N60UNDF FGP10N60UNDF Hersteller : ON Semiconductor 3663440396897075fgp10n60undf.pdf Trans IGBT Chip N-CH 600V 20A 139mW 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
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FGP10N60UNDF FGP10N60UNDF Hersteller : Fairchild Semiconductor ONSM-S-A0003586911-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: FGP10N60UNDF - IGBT, 600V, 10A,
Packaging: Bulk
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FGP10N60UNDF FGP10N60UNDF Hersteller : ONSEMI ONSM-S-A0003586911-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw fgp10n60undf-d.pdf Description: ONSEMI - FGP10N60UNDF - IGBT, 20 A, 139 W, 600 V, TO-220, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
rohsCompliant: YES
Verlustleistung: 139W
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
euEccn: NLR
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Betriebstemperatur, max.: 150°C
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
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FGP10N60UNDF FGP10N60UNDF Hersteller : ON Semiconductor fgp10n60undf-d.pdf Trans IGBT Chip N-CH 600V 20A 139000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
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FGP10N60UNDF FGP10N60UNDF Hersteller : onsemi fgp10n60undf-d.pdf Description: IGBT NPT 600V 20A TO-220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 37.7 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.45V @ 15V, 10A
Supplier Device Package: TO-220-3
IGBT Type: NPT
Td (on/off) @ 25°C: 8ns/52.2ns
Switching Energy: 150µJ (on), 50µJ (off)
Test Condition: 400V, 10A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 37 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 20 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 30 A
Power - Max: 139 W
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