FQP9N90C onsemi
Hersteller: onsemiDescription: MOSFET N-CH 900V 8A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 205W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2730 pF @ 25 V
auf Bestellung 240 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Preis ohne MwSt |
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| 3+ | 6.41 EUR |
| 50+ | 5.07 EUR |
| 100+ | 4.35 EUR |
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Technische Details FQP9N90C onsemi
Description: ONSEMI - FQP9N90C - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 900 V, 8 A, 1.12 ohm, TO-220, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 900V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 8A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 205W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 205W, Bauform - Transistor: TO-220, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 1.12ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.12ohm, SVHC: Lead (14-Jun-2023).
Weitere Produktangebote FQP9N90C nach Preis ab 4.73 EUR bis 9.52 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||||||
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FQP9N90C | Hersteller : onsemi / Fairchild |
MOSFET 900V N-Channel Adv Q-FET C-Series |
auf Bestellung 6964 Stücke: Lieferzeit 14-28 Tag (e) |
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FQP9N90C | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - FQP9N90C - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 900 V, 8 A, 1.12 ohm, TO-220, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 900V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 8A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 205W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V euEccn: NLR Verlustleistung: 205W Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 1.12ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.12ohm SVHC: Lead (14-Jun-2023) |
auf Bestellung 208 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FQP9N90C | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 900V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
auf Bestellung 2 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FQP9N90C Produktcode: 117719 |
Transistoren > MOSFET N-CH |
Produkt ist nicht verfügbar
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FQP9N90C | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 900V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
Produkt ist nicht verfügbar |
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FQP9N90C | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 900V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
Produkt ist nicht verfügbar |
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FQP9N90C | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 900V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
Produkt ist nicht verfügbar |
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FQP9N90C | Hersteller : ONSEMI |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 2.8A; 205W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Technology: QFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 900V Drain current: 2.8A Power dissipation: 205W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 1.4Ω Mounting: THT Gate charge: 58nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
Produkt ist nicht verfügbar |
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FQP9N90C | Hersteller : ONSEMI |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 2.8A; 205W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Technology: QFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 900V Drain current: 2.8A Power dissipation: 205W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 1.4Ω Mounting: THT Gate charge: 58nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced |
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