Weitere Produktangebote FQP9N90C nach Preis ab 3.12 EUR bis 7.6 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||
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FQP9N90C | Hersteller : ONSEMI |
 Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 2.8A; 205W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Technology: QFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 900V Drain current: 2.8A Power dissipation: 205W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 1.4Ω Mounting: THT Gate charge: 58nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement |
auf Bestellung 62 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FQP9N90C | Hersteller : onsemi |
MOSFETs 900V N-Channel Adv Q-FET C-Series |
auf Bestellung 5 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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FQP9N90C | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - FQP9N90C - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 900 V, 8 A, 1.12 ohm, TO-220, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 900V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 8A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V euEccn: NLR Verlustleistung: 205W Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.12ohm SVHC: Lead (25-Jun-2025) |
auf Bestellung 406 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |