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FQP9N90C

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Produktcode: 117719
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Transistoren > MOSFET N-CH

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
FQP9N90C FQP9N90C ONSEMI FQP9N90C.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 2.8A; 205W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 2.8A
Power dissipation: 205W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.4Ω
Mounting: THT
Gate charge: 58nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 57 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
15+6.08 EUR
23+3.71 EUR
50+3.53 EUR
Mindestbestellmenge: 15 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQP9N90C FQP9N90C ON Semiconductor fqpf9n90cd.pdf Trans MOSFET N-CH 900V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
21+8.33 EUR
41+4.22 EUR
50+4.06 EUR
100+3.9 EUR
500+3.22 EUR
Mindestbestellmenge: 21 Stücke
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FQP9N90C FQP9N90C ON Semiconductor fqpf9n90cd.pdf Trans MOSFET N-CH 900V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
21+8.34 EUR
40+4.14 EUR
50+3.92 EUR
100+3.7 EUR
500+2.99 EUR
Mindestbestellmenge: 21 Stücke
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FQP9N90C FQP9N90C onsemi fqpf9n90c-d.pdf Description: MOSFET N-CH 900V 8A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 205W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2730 pF @ 25 V
auf Bestellung 815 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+9.04 EUR
10+6.01 EUR
50+4.71 EUR
100+4.3 EUR
500+3.56 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQP9N90C FQP9N90C onsemi fqpf9n90c-d.pdf MOSFETs 900V N-Channel Adv Q-FET C-Series
auf Bestellung 742 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+9.09 EUR
10+4.74 EUR
100+4.32 EUR
500+4.02 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQP9N90C FQP9N90C ONSEMI 2304175.pdf Description: ONSEMI - FQP9N90C - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 900 V, 8 A, 1.12 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 900V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
Verlustleistung: 205W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.12ohm
auf Bestellung 43 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
23+11.27 EUR
38+6.18 EUR
Mindestbestellmenge: 23 Stücke
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FQP9N90C
Hersteller: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 2.8A; 205W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 2.8A
Power dissipation: 205W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.4Ω
Mounting: THT
Gate charge: 58nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 57 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
15+6.08 EUR
23+3.71 EUR
50+3.53 EUR
Mindestbestellmenge: 15 Stücke
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FQP9N90C
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 900V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
21+8.33 EUR
41+4.22 EUR
50+4.06 EUR
100+3.9 EUR
500+3.22 EUR
Mindestbestellmenge: 21 Stücke
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FQP9N90C
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 900V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
21+8.34 EUR
40+4.14 EUR
50+3.92 EUR
100+3.7 EUR
500+2.99 EUR
Mindestbestellmenge: 21 Stücke
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FQP9N90C fqpf9n90c-d.pdf
FQP9N90C
Hersteller: onsemi
Description: MOSFET N-CH 900V 8A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 205W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2730 pF @ 25 V
auf Bestellung 815 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
3+9.04 EUR
10+6.01 EUR
50+4.71 EUR
100+4.3 EUR
500+3.56 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
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FQP9N90C
Hersteller: onsemi
MOSFETs 900V N-Channel Adv Q-FET C-Series
auf Bestellung 742 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+9.09 EUR
10+4.74 EUR
100+4.32 EUR
500+4.02 EUR
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FQP9N90C
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - FQP9N90C - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 900 V, 8 A, 1.12 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 900V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
Verlustleistung: 205W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.12ohm
auf Bestellung 43 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
23+11.27 EUR
38+6.18 EUR
Mindestbestellmenge: 23 Stücke
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