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FQP9N90C

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Produktcode: 117719
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Transistoren > MOSFET N-CH

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
FQP9N90C FQP9N90C ON Semiconductor fqpf9n90cd.pdf Trans MOSFET N-CH 900V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
50+3.57 EUR
Mindestbestellmenge: 50 Stücke
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FQP9N90C FQP9N90C ON Semiconductor fqpf9n90cd.pdf Trans MOSFET N-CH 900V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
50+3.58 EUR
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FQP9N90C FQP9N90C onsemi fqpf9n90c-d.pdf Description: MOSFET N-CH 900V 8A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 205W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2730 pF @ 25 V
auf Bestellung 490 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+9.59 EUR
10+6.38 EUR
50+5.01 EUR
100+4.57 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
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FQP9N90C FQP9N90C onsemi fqpf9n90c-d.pdf MOSFETs 900V N-Channel Adv Q-FET C-Series
auf Bestellung 1874 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+10.78 EUR
10+7.06 EUR
100+5.21 EUR
500+4.63 EUR
1000+4.16 EUR
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FQP9N90C FQP9N90C ONSEMI fqpf9n90c-d.pdf Description: ONSEMI - FQP9N90C - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 900 V, 8 A, 1.12 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 900V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
Verlustleistung: 205W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.12ohm
auf Bestellung 39 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
23+10.95 EUR
38+6.18 EUR
Mindestbestellmenge: 23 Stücke
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FQP9N90C
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 900V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
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FQP9N90C
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 900V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
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FQP9N90C
Hersteller: onsemi
Description: MOSFET N-CH 900V 8A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 205W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2730 pF @ 25 V
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FQP9N90C
Hersteller: onsemi
MOSFETs 900V N-Channel Adv Q-FET C-Series
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FQP9N90C
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - FQP9N90C - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 900 V, 8 A, 1.12 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 900V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
Verlustleistung: 205W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.12ohm
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23+10.95 EUR
38+6.18 EUR
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