FQU4N50TU-WS
Informationen zu Lagerverfügbarkeit und Lieferzeiten
Produkt ist nicht verfügbar, Sie können Anfrage senden wenn Sie Produkt in den Warenkorb hinzufügen
Produkt ist nicht verfügbar, Sie können Anfrage senden wenn Sie Produkt in den Warenkorb hinzufügen
Technische Details FQU4N50TU-WS
Description: MOSFET N-CH 500V 2.6A IPAK, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 460 pF @ 25 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V, Vgs (Max): ±30V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Part Status: Last Time Buy, Supplier Device Package: I-PAK, Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7Ohm @ 1.3A, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A (Tc), FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Mounting Type: Through Hole, Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA, Packaging: Tube, Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 45W (Tc).
Preis FQU4N50TU-WS ab 0 EUR bis 0 EUR
FQU4N50TU-WS Hersteller: ON Semiconductor Trans MOSFET N-CH 500V 2.6A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube ![]() |
Produkt ist nicht verfügbar, Sie können Anfrage senden wenn Sie Produkt in den Warenkorb hinzufügen |
|
|
FQU4N50TU-WS Hersteller: ONSEMI Material: FQU4N50TU-WS THT N channel transistors ![]() |
Produkt ist nicht verfügbar, Sie können Anfrage senden wenn Sie Produkt in den Warenkorb hinzufügen |
|
|
FQU4N50TU-WS Hersteller: ON Semiconductor / Fairchild MOSFET N-CH/500V 2.6A/2.7OHM ![]() |
auf Bestellung 5020 Stücke ![]() Lieferzeit 14-28 Tag (e) |
|
|
FQU4N50TU-WS Hersteller: onsemi / Fairchild MOSFET N-CH/500V 2.6A/2.7OHM ![]() |
auf Bestellung 4960 Stücke ![]() Lieferzeit 14-28 Tag (e) |
|
|
FQU4N50TU-WS Hersteller: onsemi Description: MOSFET N-CH 500V 2.6A IPAK Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 460 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Vgs (Max): ±30V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Last Time Buy Supplier Device Package: I-PAK Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7Ohm @ 1.3A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA Packaging: Tube Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 45W (Tc) ![]() |
auf Bestellung 4035 Stücke ![]() Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
|
|
FQU4N50TU_WS Hersteller: Fairchild Semiconductor Description: MOSFET N-CH 500V 2.6A IPAK Supplier Device Package: I-PAK Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Power - Max: 2.5W Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 460pF @ 25V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7 Ohm @ 1.3A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A (Tc) Drain to Source Voltage (Vdss): 500V FET Type: MOSFET N-Channel, Metal Oxide ![]() |
auf Bestellung 5030 Stücke ![]() Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
|
|