FQU4N50TU-WS

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Hersteller: ONSEMI
Material: FQU4N50TU-WS THT N channel transistors
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Technische Details FQU4N50TU-WS

Description: MOSFET N-CH 500V 2.6A IPAK, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 460 pF @ 25 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V, Vgs (Max): ±30V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Part Status: Last Time Buy, Supplier Device Package: I-PAK, Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7Ohm @ 1.3A, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A (Tc), FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Mounting Type: Through Hole, Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA, Packaging: Tube, Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 45W (Tc).

Preis FQU4N50TU-WS ab 0 EUR bis 0 EUR

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Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 500V 2.6A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
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Hersteller: ONSEMI
Material: FQU4N50TU-WS THT N channel transistors
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Hersteller: ON Semiconductor / Fairchild
MOSFET N-CH/500V 2.6A/2.7OHM
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Hersteller: onsemi / Fairchild
MOSFET N-CH/500V 2.6A/2.7OHM
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Hersteller: onsemi
Description: MOSFET N-CH 500V 2.6A IPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 460 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Last Time Buy
Supplier Device Package: I-PAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7Ohm @ 1.3A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Packaging: Tube
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 45W (Tc)
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Hersteller: Fairchild Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 500V 2.6A IPAK
Supplier Device Package: I-PAK
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max: 2.5W
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 460pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7 Ohm @ 1.3A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 500V
FET Type: MOSFET N-Channel, Metal Oxide
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