FQU4N50TU-WS
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Technische Details FQU4N50TU-WS
Description: MOSFET N-CH 500V 2.6A IPAK, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 460 pF @ 25 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V, Vgs (Max): ±30V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Part Status: Last Time Buy, Supplier Device Package: I-PAK, Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7Ohm @ 1.3A, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A (Tc), FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Mounting Type: Through Hole, Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA, Packaging: Tube, Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 45W (Tc).
Preis FQU4N50TU-WS ab 0 EUR bis 0 EUR
 Hersteller: ON Semiconductor Trans MOSFET N-CH 500V 2.6A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube 
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FQU4N50TU-WS Hersteller: ONSEMI Material: FQU4N50TU-WS THT N channel transistors
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 Hersteller: ON Semiconductor / Fairchild MOSFET N-CH/500V 2.6A/2.7OHM
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auf Bestellung 5020 Stücke  Lieferzeit 14-28 Tag (e) |
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Hersteller: onsemi / Fairchild MOSFET N-CH/500V 2.6A/2.7OHM
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auf Bestellung 4960 Stücke Lieferzeit 14-28 Tag (e) |
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 Hersteller: onsemi Description: MOSFET N-CH 500V 2.6A IPAK Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 460 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Vgs (Max): ±30V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Last Time Buy Supplier Device Package: I-PAK Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7Ohm @ 1.3A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA Packaging: Tube Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 45W (Tc)
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auf Bestellung 4035 Stücke Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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 Hersteller: Fairchild Semiconductor Description: MOSFET N-CH 500V 2.6A IPAK Supplier Device Package: I-PAK Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Power - Max: 2.5W Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 460pF @ 25V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7 Ohm @ 1.3A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A (Tc) Drain to Source Voltage (Vdss): 500V FET Type: MOSFET N-Channel, Metal Oxide
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auf Bestellung 5030 Stücke Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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