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FQU4N50TU-WS

FQU4N50TU-WS onsemi / Fairchild


FQU4N50TU_WS_D-1809905.pdf Hersteller: onsemi / Fairchild
MOSFET N-CH/500V 2.6A/2.7OHM
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Technische Details FQU4N50TU-WS onsemi / Fairchild

Description: MOSFET N-CH 500V 2.6A IPAK, Packaging: Tube, Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7Ohm @ 1.3A, 10V, Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 45W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA, Supplier Device Package: IPAK, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 460 pF @ 25 V.

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FQU4N50TU_WS FQU4N50TU_WS Hersteller : Fairchild Semiconductor FQU4N50TU_WS.pdf Description: MOSFET N-CH 500V 2.6A IPAK
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FQU4N50TU-WS FQU4N50TU-WS Hersteller : ON Semiconductor fqu4n50tu_ws.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 2.6A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
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FQU4N50TU-WS Hersteller : ONSEMI fqu4n50tu-ws-d.pdf FQU4N50TU-WS THT N channel transistors
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FQU4N50TU-WS FQU4N50TU-WS Hersteller : onsemi fqu4n50tu-ws-d.pdf Description: MOSFET N-CH 500V 2.6A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7Ohm @ 1.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: IPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 460 pF @ 25 V
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