G3R60MT07D GeneSiC Semiconductor
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: 750V 60M TO-247-3 G3R SIC MOSFET
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Vgs (Max): +20V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V
Description: 750V 60M TO-247-3 G3R SIC MOSFET
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Vgs (Max): +20V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V
auf Bestellung 2868 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Anzahl | Preis ohne MwSt |
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2+ | 24.34 EUR |
10+ | 22.09 EUR |
25+ | 21.25 EUR |
100+ | 20.05 EUR |
250+ | 19.28 EUR |
500+ | 18.73 EUR |
1000+ | 18.2 EUR |
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Technische Details G3R60MT07D GeneSiC Semiconductor
Description: GENESIC SEMICONDUCTOR - G3R60MT07D - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 43 A, 750 V, 0.06 ohm, TO-247, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 750V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 43A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins, euEccn: NLR, Verlustleistung: 171W, Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: G3R Series, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 15V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023).
Weitere Produktangebote G3R60MT07D nach Preis ab 18.3 EUR bis 24.52 EUR
Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||||||
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G3R60MT07D | Hersteller : GeneSiC Semiconductor | MOSFET 650V 60mohm TO-247-3 G3R SiC MOSFET |
auf Bestellung 3041 Stücke: Lieferzeit 14-28 Tag (e) |
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G3R60MT07D | Hersteller : GENESIC SEMICONDUCTOR |
Description: GENESIC SEMICONDUCTOR - G3R60MT07D - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 43 A, 750 V, 0.06 ohm, TO-247 tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 750V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 43A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 171W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: G3R Series productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 15V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
auf Bestellung 286 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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G3R60MT07D Produktcode: 197744 |
Transistoren > MOSFET N-CH |
Produkt ist nicht verfügbar
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G3R60MT07D | Hersteller : GeneSiC Semiconductor | Silicon Carbide MOSFET N-Channel Enhancement Mode |
Produkt ist nicht verfügbar |
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G3R60MT07D | Hersteller : GeneSiC Semiconductor | Silicon Carbide MOSFET N-Channel Enhancement Mode |
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G3R60MT07D | Hersteller : GeneSiC Semiconductor | Silicon Carbide MOSFET N-Channel Enhancement Mode |
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G3R60MT07D | Hersteller : GeneSiC Semiconductor | Silicon Carbide MOSFET N-Channel Enhancement Mode |
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