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G3R60MT07D

G3R60MT07D GeneSiC Semiconductor

G3R60MT07D.pdf Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: 750V 60M TO-247-3 G3R SIC MOSFET
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Vgs (Max): +20V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V
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Technische Details G3R60MT07D GeneSiC Semiconductor

Description: GENESIC - G3R60MT07D - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 43 A, 750 V, 0.06 ohm, TO-247, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 750V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 43A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins, euEccn: NLR, Verlustleistung: 171W, Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: G3R Series, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 15V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm, SVHC: No SVHC (17-Dec-2015).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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G3R60MT07D G3R60MT07D Hersteller : GeneSiC Semiconductor G3R60MT07D-3479072.pdf SiC MOSFETs 750V 60mohm TO-247-3 G3R SiC MOSFET
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G3R60MT07D G3R60MT07D Hersteller : GENESIC 3967296.pdf Description: GENESIC - G3R60MT07D - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 43 A, 750 V, 0.06 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 750V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 43A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 171W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: G3R Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
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G3R60MT07D
Produktcode: 197744
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