Weitere Produktangebote G3R60MT07D nach Preis ab 12.32 EUR bis 16.83 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||||||||
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G3R60MT07D | Hersteller : GeneSiC Semiconductor |
 Description: 750V 60M TO-247-3 G3R SIC MOSFETPackaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Technology: SiCFET (Silicon Carbide) Supplier Device Package: TO-247-3 Part Status: Active Vgs (Max): +20V, -10V Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V |
auf Bestellung 2868 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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G3R60MT07D | Hersteller : GeneSiC Semiconductor |
SiC MOSFETs 750V 60mohm TO-247-3 G3R SiC MOSFET |
auf Bestellung 2829 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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G3R60MT07D | Hersteller : GENESIC |
Description: GENESIC - G3R60MT07D - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 43 A, 750 V, 0.06 ohm, TO-247 tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 750V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 43A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 171W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: G3R Series productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 15V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm SVHC: No SVHC (17-Dec-2015) |
auf Bestellung 202 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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G3R60MT07D | Hersteller : GeneSiC Semiconductor |
Silicon Carbide MOSFET N-Channel Enhancement Mode |
Produkt ist nicht verfügbar |
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G3R60MT07D | Hersteller : GeneSiC Semiconductor |
Silicon Carbide MOSFET N-Channel Enhancement Mode |
Produkt ist nicht verfügbar |