Produkte > Transistoren > MOSFET N-CH > G3R60MT07D

G3R60MT07D

G3R60MT07D.pdf
Produktcode: 197744
zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt

Hersteller:
Transistoren > MOSFET N-CH

Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben

Weitere Produktangebote G3R60MT07D nach Preis ab 14.66 EUR bis 21.74 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
G3R60MT07D G3R60MT07D GeneSiC Semiconductor G3R60MT07D.pdf Description: 750V 60M TO-247-3 G3R SIC MOSFET
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Vgs (Max): +20V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V
auf Bestellung 2868 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+19.6 EUR
10+17.79 EUR
25+17.11 EUR
100+16.15 EUR
250+15.53 EUR
500+15.09 EUR
1000+14.66 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
G3R60MT07D G3R60MT07D GeneSiC Semiconductor G3R60MT07D-3479072.pdf SiC MOSFETs 750V 60mohm TO-247-3 G3R SiC MOSFET
auf Bestellung 2829 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+20.03 EUR
10+17.61 EUR
30+16.61 EUR
120+15.84 EUR
270+15.49 EUR
510+15.05 EUR
2520+14.91 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
G3R60MT07D G3R60MT07D GENESIC 3967296.pdf Description: GENESIC - G3R60MT07D - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 43 A, 750 V, 0.06 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 750V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 43A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 171W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: G3R Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
auf Bestellung 202 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
11+21.74 EUR
12+19.09 EUR
50+18.36 EUR
100+17.84 EUR
Mindestbestellmenge: 11 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
G3R60MT07D G3R60MT07D.pdf
G3R60MT07D
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: 750V 60M TO-247-3 G3R SIC MOSFET
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Vgs (Max): +20V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V
auf Bestellung 2868 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
2+19.6 EUR
10+17.79 EUR
25+17.11 EUR
100+16.15 EUR
250+15.53 EUR
500+15.09 EUR
1000+14.66 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
G3R60MT07D G3R60MT07D-3479072.pdf
G3R60MT07D
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
SiC MOSFETs 750V 60mohm TO-247-3 G3R SiC MOSFET
auf Bestellung 2829 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+20.03 EUR
10+17.61 EUR
30+16.61 EUR
120+15.84 EUR
270+15.49 EUR
510+15.05 EUR
2520+14.91 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
G3R60MT07D 3967296.pdf
G3R60MT07D
Hersteller: GENESIC
Description: GENESIC - G3R60MT07D - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 43 A, 750 V, 0.06 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 750V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 43A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 171W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: G3R Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
auf Bestellung 202 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
11+21.74 EUR
12+19.09 EUR
50+18.36 EUR
100+17.84 EUR
Mindestbestellmenge: 11 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH