GA100JT12-227
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Technische Details GA100JT12-227
Description: TRANS SJT 1200V 160A SOT227, Technology: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor), Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14400 pF @ 800 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V, Part Status: Obsolete, Supplier Device Package: SOT-227, Mounting Type: Chassis Mount, Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC, Packaging: Tube, Power Dissipation (Max): 535W (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 100A, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 160A (Tc).
Preis GA100JT12-227 ab 0 EUR bis 0 EUR
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GA100JT12-227 Hersteller: GeneSiC Semiconductor TRANS SJT 1200V 160A SOT227 
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 Hersteller: GeneSiC Semiconductor Discrete Semiconductor Modules 1200V 160A Std SiC Junction Transistor
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 Hersteller: GeneSiC Semiconductor Description: TRANS SJT 1200V 160A SOT227 Technology: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14400 pF @ 800 V Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V Part Status: Obsolete Supplier Device Package: SOT-227 Mounting Type: Chassis Mount Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC Packaging: Tube Power Dissipation (Max): 535W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 100A Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 160A (Tc)
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