GA100JT12-227

GA100JT12-227

Hersteller: GeneSiC Semiconductor
TRANS SJT 1200V 160A SOT227
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Technische Details GA100JT12-227

Description: TRANS SJT 1200V 160A SOT227, Technology: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor), Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14400 pF @ 800 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V, Part Status: Obsolete, Supplier Device Package: SOT-227, Mounting Type: Chassis Mount, Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC, Packaging: Tube, Power Dissipation (Max): 535W (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 100A, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 160A (Tc).

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TRANS SJT 1200V 160A SOT227
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Discrete Semiconductor Modules 1200V 160A Std SiC Junction Transistor
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Description: TRANS SJT 1200V 160A SOT227
Technology: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14400 pF @ 800 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: SOT-227
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Packaging: Tube
Power Dissipation (Max): 535W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 100A
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 160A (Tc)
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