GB01SLT06-214

GB01SLT06-214 GeneSiC Semiconductor


GB01SLT06-214.pdf Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE SIL CARB 650V 1A DO214AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AA, SMB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 76pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-214AA
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 6.5 V
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Technische Details GB01SLT06-214 GeneSiC Semiconductor

Description: DIODE SIL CARB 650V 1A DO214AA, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: DO-214AA, SMB, Mounting Type: Surface Mount, Speed: No Recovery Time > 500mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 0 ns, Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky, Capacitance @ Vr, F: 76pF @ 1V, 1MHz, Current - Average Rectified (Io): 1A, Supplier Device Package: DO-214AA, Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C, Part Status: Active, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2 V @ 1 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 6.5 V.

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GB01SLT06-214 GB01SLT06-214 Hersteller : GeneSiC Semiconductor GB01SLT06-214.pdf Description: DIODE SIL CARB 650V 1A DO214AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214AA, SMB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 76pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-214AA
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 6.5 V
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GB01SLT06-214 GB01SLT06-214 Hersteller : GeneSiC Semiconductor GB01SLT06_214-2449646.pdf Schottky Diodes & Rectifiers 650V 1A Standard
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GB01SLT06-214 GB01SLT06-214 Hersteller : GeneSiC Semiconductor 8916000716503138gb01slt06-214.pdf 650V 1A DO-214 SiC Schottky MPS
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GB01SLT06-214 GB01SLT06-214 Hersteller : GeneSiC Semiconductor 8916000716503138gb01slt06-214.pdf 650V 1A DO-214 SiC Schottky MPS
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GB01SLT06-214 GB01SLT06-214 Hersteller : GeneSiC SEMICONDUCTOR GB01SLT06-214.pdf Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; SMD; 650V; 1A; DO214; reel,tape
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 1A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward voltage: 1.5V
Case: DO214
Kind of package: reel; tape
Max. forward impulse current: 7A
Anzahl je Verpackung: 15000 Stücke
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GB01SLT06-214 GB01SLT06-214 Hersteller : GeneSiC SEMICONDUCTOR GB01SLT06-214.pdf Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; SMD; 650V; 1A; DO214; reel,tape
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 1A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward voltage: 1.5V
Case: DO214
Kind of package: reel; tape
Max. forward impulse current: 7A
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