GB01SLT06-214 Navitas Semiconductor, Inc.
Hersteller: Navitas Semiconductor, Inc.
Description: DIODE SIL CARB 650V 1A DO214AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AA, SMB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 76pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-214AA
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 6.5 V
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Technische Details GB01SLT06-214 Navitas Semiconductor, Inc.
Description: DIODE SIL CARB 650V 1A DO214AA, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: DO-214AA, SMB, Mounting Type: Surface Mount, Speed: No Recovery Time > 500mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 0 ns, Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky, Capacitance @ Vr, F: 76pF @ 1V, 1MHz, Current - Average Rectified (Io): 1A, Supplier Device Package: DO-214AA, Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2 V @ 1 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 6.5 V.
Weitere Produktangebote GB01SLT06-214
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde |
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GB01SLT06-214 | Navitas Semiconductor, Inc. |
Description: DIODE SIL CARB 650V 1A DO214AA Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: DO-214AA, SMB Mounting Type: Surface Mount Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 76pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 1A Supplier Device Package: DO-214AA Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2 V @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 6.5 V |
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GB01SLT06-214 | GeneSiC Semiconductor |
SiC Schottky Diodes 650V 1A Standard |
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Mindestbestellmenge: 2 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
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GB01SLT06-214 | GeneSiC SEMICONDUCTOR |
Category: SMD Schottky diodes Description: Diode: Schottky rectifying; DO214; SiC; SMD; 650V; 1A; reel,tape Type of diode: Schottky rectifying Case: DO214 Technology: SiC Mounting: SMD Max. off-state voltage: 650V Load current: 1A Semiconductor structure: single diode Max. forward voltage: 1.5V Max. forward impulse current: 7A Kind of package: reel; tape |
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Mindestbestellmenge: 15000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
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GB01SLT06-214 | GENESIC SEMICONDUCTOR |
Description: GENESIC SEMICONDUCTOR - GB01SLT06-214 - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 2.5 A, 7 nC, DO-214AA (SMB) Kapazitive Gesamtladung: 7 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 2.5 Anzahl der Pins: 2 Pins Bauform - Diode: DO-214AA (SMB) Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650 Produktpalette: - SVHC: Lead (25-Jun-2020) |
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| GB01SLT06-214 | GeneSiC Semiconductor |
Diode Schottky 650V 2.5A 2-Pin SMB |
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Mindestbestellmenge: 2500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| GB01SLT06-214 |
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Hersteller: Navitas Semiconductor, Inc.
Description: DIODE SIL CARB 650V 1A DO214AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214AA, SMB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 76pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-214AA
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 6.5 V
Description: DIODE SIL CARB 650V 1A DO214AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214AA, SMB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 76pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-214AA
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 6.5 V
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| GB01SLT06-214 |
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Hersteller: GeneSiC Semiconductor
SiC Schottky Diodes 650V 1A Standard
SiC Schottky Diodes 650V 1A Standard
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Mindestbestellmenge: 2 Stücke
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| GB01SLT06-214 |
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Hersteller: GeneSiC SEMICONDUCTOR
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; DO214; SiC; SMD; 650V; 1A; reel,tape
Type of diode: Schottky rectifying
Case: DO214
Technology: SiC
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 1A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward voltage: 1.5V
Max. forward impulse current: 7A
Kind of package: reel; tape
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; DO214; SiC; SMD; 650V; 1A; reel,tape
Type of diode: Schottky rectifying
Case: DO214
Technology: SiC
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 1A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward voltage: 1.5V
Max. forward impulse current: 7A
Kind of package: reel; tape
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Mindestbestellmenge: 15000 Stücke
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| GB01SLT06-214 |
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Hersteller: GENESIC SEMICONDUCTOR
Description: GENESIC SEMICONDUCTOR - GB01SLT06-214 - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 2.5 A, 7 nC, DO-214AA (SMB)
Kapazitive Gesamtladung: 7
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 2.5
Anzahl der Pins: 2 Pins
Bauform - Diode: DO-214AA (SMB)
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650
Produktpalette: -
SVHC: Lead (25-Jun-2020)
Description: GENESIC SEMICONDUCTOR - GB01SLT06-214 - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 2.5 A, 7 nC, DO-214AA (SMB)
Kapazitive Gesamtladung: 7
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 2.5
Anzahl der Pins: 2 Pins
Bauform - Diode: DO-214AA (SMB)
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650
Produktpalette: -
SVHC: Lead (25-Jun-2020)
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| GB01SLT06-214 |
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Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Diode Schottky 650V 2.5A 2-Pin SMB
Diode Schottky 650V 2.5A 2-Pin SMB
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Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
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