GB01SLT12-214 GeneSiC Semiconductor
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Technische Details GB01SLT12-214 GeneSiC Semiconductor
Description: GENESIC SEMICONDUCTOR - GB01SLT12-214 - SiC-Schottky-Diode, MPS, Einfach, 1.2 kV, 1 A, 4 nC, DO-214, tariffCode: 85411000, Bauform - Diode: DO-214, Kapazitive Gesamtladung: 4nC, rohsCompliant: Y-EX, Diodenmontage: Oberflächenmontage, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Diodenkonfiguration: Einfach, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A, euEccn: NLR, Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1.2kV, Anzahl der Pins: 2 Pins, Produktpalette: MPS, productTraceability: No, Betriebstemperatur, max.: 175°C, SVHC: Lead (19-Jan-2021).
Weitere Produktangebote GB01SLT12-214
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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GB01SLT12-214 | Hersteller : GENESIC SEMICONDUCTOR |
 Description: GENESIC SEMICONDUCTOR - GB01SLT12-214 - SiC-Schottky-Diode, MPS, Einfach, 1.2 kV, 1 A, 4 nC, DO-214tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: DO-214 Kapazitive Gesamtladung: 4nC rohsCompliant: Y-EX Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1.2kV Anzahl der Pins: 2 Pins Produktpalette: MPS productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: Lead (19-Jan-2021) |
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GB01SLT12-214 | Hersteller : GENESIC SEMICONDUCTOR |
Description: GENESIC SEMICONDUCTOR - GB01SLT12-214 - DIODE, SIC SCHOTTKY, 1A, 1.2KV, DO-214AA tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: DO-214AA (SMB) Kapazitive Gesamtladung: 13 rohsCompliant: Y-EX Diodenmontage: Surface Mount hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Single Qualifikation: - usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1 euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1.2 Anzahl der Pins: 2 Pin Produktpalette: 1200V Series productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 175 directShipCharge: 25 SVHC: Lead |
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GB01SLT12-214 | Hersteller : GENESIC SEMICONDUCTOR |
Description: GENESIC SEMICONDUCTOR - GB01SLT12-214 - SiC-Schottky-Diode, MPS, Einfach, 1.2 kV, 1 A, 4 nC, DO-214 tariffCode: 85411000 productTraceability: No rohsCompliant: Y-EX euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Betriebstemperatur, max.: 175°C usEccn: EAR99 Diodenmontage: Oberflächenmontage SVHC: Lead (19-Jan-2021) |
auf Bestellung 308 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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GB01SLT12-214 | Hersteller : GeneSiC Semiconductor |
Rectifier Diode Schottky SiC 1.2KV 1A 2-Pin SMB |
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GB01SLT12-214 | Hersteller : GeneSiC Semiconductor |
Rectifier Diode Schottky SiC 1.2KV 1A 2-Pin SMB |
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GB01SLT12-214 | Hersteller : GeneSiC Semiconductor |
Rectifier Diode Schottky SiC 1.2KV 1A 2-Pin SMB |
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GB01SLT12-214 | Hersteller : GeneSiC SEMICONDUCTOR |
Category: SMD Schottky diodes Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; SMD; 1.2kV; 1A; DO214; reel,tape Type of diode: Schottky rectifying Technology: SiC Mounting: SMD Max. off-state voltage: 1.2kV Load current: 1A Semiconductor structure: single diode Max. forward voltage: 1.5V Case: DO214 Kind of package: reel; tape Max. forward impulse current: 8A Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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GB01SLT12-214 | Hersteller : GeneSiC Semiconductor |
Description: DIODE SIL CARBIDE 1.2KV 2.5A SMB Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: DO-214AA, SMB Mounting Type: Surface Mount Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 69pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 2.5A Supplier Device Package: SMB (DO-214AA) Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 1200 V |
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GB01SLT12-214 | Hersteller : GeneSiC Semiconductor |
Description: DIODE SIL CARBIDE 1.2KV 2.5A SMB Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DO-214AA, SMB Mounting Type: Surface Mount Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 69pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 2.5A Supplier Device Package: SMB (DO-214AA) Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 1200 V |
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GB01SLT12-214 | Hersteller : GeneSiC SEMICONDUCTOR |
Category: SMD Schottky diodes Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; SMD; 1.2kV; 1A; DO214; reel,tape Type of diode: Schottky rectifying Technology: SiC Mounting: SMD Max. off-state voltage: 1.2kV Load current: 1A Semiconductor structure: single diode Max. forward voltage: 1.5V Case: DO214 Kind of package: reel; tape Max. forward impulse current: 8A |
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