GB01SLT12-214 GeneSiC Semiconductor
Hersteller: GeneSiC SemiconductorDescription: DIODE SIL CARBIDE 1.2KV 2.5A SMB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214AA, SMB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 69pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 2.5A
Supplier Device Package: DO-214AA (SMB)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 1200 V
auf Bestellung 976 Stücke:
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| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 5+ | 4.17 EUR |
| 10+ | 3.69 EUR |
| 25+ | 3.51 EUR |
| 100+ | 3.25 EUR |
| 250+ | 3.10 EUR |
| 500+ | 2.99 EUR |
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Technische Details GB01SLT12-214 GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE SIL CARBIDE 1.2KV 2.5A SMB, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: DO-214AA, SMB, Mounting Type: Surface Mount, Speed: No Recovery Time > 500mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 0 ns, Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky, Capacitance @ Vr, F: 69pF @ 1V, 1MHz, Current - Average Rectified (Io): 2.5A, Supplier Device Package: DO-214AA (SMB), Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C, Part Status: Active, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 1 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 1200 V.
Weitere Produktangebote GB01SLT12-214 nach Preis ab 2.89 EUR bis 4.21 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||||||||
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GB01SLT12-214 | Hersteller : GeneSiC Semiconductor |
SiC Schottky Diodes 1200V 2.5A Standard |
auf Bestellung 28715 Stücke: Lieferzeit 142-146 Tag (e) |
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GB01SLT12-214 | Hersteller : GENESIC SEMICONDUCTOR |
Description: GENESIC SEMICONDUCTOR - GB01SLT12-214 - DIODE, SIC SCHOTTKY, 1A, 1.2KV, DO-214AA tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: DO-214AA (SMB) Kapazitive Gesamtladung: 0 rohsCompliant: Y-EX Diodenmontage: Surface Mount hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Single Qualifikation: - usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 0 euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 0 Anzahl der Pins: 2 Pin Produktpalette: 1200V Series productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 175°C directShipCharge: 25 SVHC: Lead |
auf Bestellung 2849 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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GB01SLT12-214 | Hersteller : GENESIC |
Description: GENESIC - GB01SLT12-214 - SiC-Schottky-Diode, MPS, Einfach, 1.2 kV, 1 A, 4 nC, DO-214 tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: DO-214 Kapazitive Gesamtladung: 4nC rohsCompliant: Y-EX Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1.2kV Anzahl der Pins: 2 Pins Produktpalette: MPS productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
auf Bestellung 4861 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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GB01SLT12-214 | Hersteller : GeneSiC Semiconductor |
Rectifier Diode Schottky SiC 1.2KV 1A 2-Pin SMB |
Produkt ist nicht verfügbar |
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GB01SLT12-214 | Hersteller : GeneSiC Semiconductor |
Rectifier Diode Schottky SiC 1.2KV 1A 2-Pin SMB |
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GB01SLT12-214 | Hersteller : GeneSiC Semiconductor |
Rectifier Diode Schottky SiC 1.2KV 1A 2-Pin SMB |
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GB01SLT12-214 | Hersteller : GeneSiC SEMICONDUCTOR |
Category: SMD Schottky diodes Description: Diode: Schottky rectifying; DO214; SiC; SMD; 1.2kV; 1A; reel,tape Type of diode: Schottky rectifying Case: DO214 Technology: SiC Mounting: SMD Max. off-state voltage: 1.2kV Load current: 1A Semiconductor structure: single diode Max. forward voltage: 1.5V Max. forward impulse current: 8A Kind of package: reel; tape Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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GB01SLT12-214 | Hersteller : GeneSiC Semiconductor |
Description: DIODE SIL CARBIDE 1.2KV 2.5A SMB Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DO-214AA, SMB Mounting Type: Surface Mount Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 69pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 2.5A Supplier Device Package: DO-214AA (SMB) Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 1200 V |
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GB01SLT12-214 | Hersteller : GeneSiC SEMICONDUCTOR |
Category: SMD Schottky diodes Description: Diode: Schottky rectifying; DO214; SiC; SMD; 1.2kV; 1A; reel,tape Type of diode: Schottky rectifying Case: DO214 Technology: SiC Mounting: SMD Max. off-state voltage: 1.2kV Load current: 1A Semiconductor structure: single diode Max. forward voltage: 1.5V Max. forward impulse current: 8A Kind of package: reel; tape |
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