GC10MPS12-220 GeneSiC Semiconductor
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Technische Details GC10MPS12-220 GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE SIL CARB 1.2KV 54A TO220-2, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-2, Mounting Type: Through Hole, Speed: No Recovery Time > 500mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 0 ns, Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky, Capacitance @ Vr, F: 660pF @ 1V, 1MHz, Current - Average Rectified (Io): 54A, Supplier Device Package: TO-220-2, Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C, Part Status: Active, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 10 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 1200 V.
Weitere Produktangebote GC10MPS12-220 nach Preis ab 10.24 EUR bis 14.14 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||||||
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GC10MPS12-220 | Hersteller : GeneSiC Semiconductor |
 Schottky Diodes & Rectifiers 1200V 10A TO-220-2 SiC Schottky MPS |
auf Bestellung 5 Stücke: Lieferzeit 14-28 Tag (e) |
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| GC10MPS12-220 | Hersteller : GeneSiC Semiconductor |
Rectifier Diode Schottky SiC 1.2KV 36A 2-Pin(2+Tab) TO-220AC |
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GC10MPS12-220 | Hersteller : GeneSiC Semiconductor |
Diode Schottky SiC 1.2KV 25A 2-Pin(2+Tab) TO-220AC |
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GC10MPS12-220 | Hersteller : GeneSiC Semiconductor |
Diode Schottky SiC 1.2KV 25A 2-Pin(2+Tab) TO-220AC |
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GC10MPS12-220 | Hersteller : GeneSiC SEMICONDUCTOR |
Category: THT Schottky diodes Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 10A; TO220-2; tube Mounting: THT Load current: 10A Kind of package: tube Semiconductor structure: single diode Case: TO220-2 Type of diode: Schottky rectifying Max. forward impulse current: 80A Max. forward voltage: 1.5V Technology: SiC Features of semiconductor devices: MPS Max. off-state voltage: 1.2kV Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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GC10MPS12-220 | Hersteller : GeneSiC Semiconductor |
Description: DIODE SIL CARB 1.2KV 54A TO220-2 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-2 Mounting Type: Through Hole Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 660pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 54A Supplier Device Package: TO-220-2 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 10 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 1200 V |
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GC10MPS12-220 | Hersteller : GeneSiC SEMICONDUCTOR |
Category: THT Schottky diodes Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 10A; TO220-2; tube Mounting: THT Load current: 10A Kind of package: tube Semiconductor structure: single diode Case: TO220-2 Type of diode: Schottky rectifying Max. forward impulse current: 80A Max. forward voltage: 1.5V Technology: SiC Features of semiconductor devices: MPS Max. off-state voltage: 1.2kV |
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