GC10MPS12-220 GeneSiC Semiconductor
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| Anzahl | Preis |
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| 1+ | 9.57 EUR |
| 10+ | 8.61 EUR |
| 25+ | 8.22 EUR |
| 100+ | 7.69 EUR |
| 250+ | 7.36 EUR |
| 500+ | 7.11 EUR |
| 1000+ | 6.93 EUR |
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Technische Details GC10MPS12-220 GeneSiC Semiconductor
Description: GENESIC - GC10MPS12-220 - SiC-Schottky-Diode, MPS, Einfach, 1.2 kV, 54 A, 40 nC, TO-220, tariffCode: 85411000, Bauform - Diode: TO-220, Kapazitive Gesamtladung: 40nC, rohsCompliant: Y-EX, Diodenmontage: Durchsteckmontage, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Diodenkonfiguration: Einfach, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Durchschnittlicher Durchlassstrom: 54A, euEccn: NLR, Anzahl der Pins: 2 Pins, Produktpalette: MPS, productTraceability: No, Periodische Spitzensperrspannung: 1.2kV, Betriebstemperatur, max.: 175°C, SVHC: No SVHC (17-Dec-2015).
Weitere Produktangebote GC10MPS12-220
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis |
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GC10MPS12-220 | Hersteller : GENESIC |
 Description: GENESIC - GC10MPS12-220 - SiC-Schottky-Diode, MPS, Einfach, 1.2 kV, 54 A, 40 nC, TO-220tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: TO-220 Kapazitive Gesamtladung: 40nC rohsCompliant: Y-EX Diodenmontage: Durchsteckmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 54A euEccn: NLR Anzahl der Pins: 2 Pins Produktpalette: MPS productTraceability: No Periodische Spitzensperrspannung: 1.2kV Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (17-Dec-2015) |
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| GC10MPS12-220 | Hersteller : GeneSiC Semiconductor |
Rectifier Diode Schottky SiC 1.2KV 36A 2-Pin(2+Tab) TO-220AC |
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GC10MPS12-220 | Hersteller : GeneSiC Semiconductor |
Diode Schottky SiC 1.2KV 25A 2-Pin(2+Tab) TO-220AC |
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GC10MPS12-220 | Hersteller : GeneSiC Semiconductor |
Diode Schottky SiC 1.2KV 25A 2-Pin(2+Tab) TO-220AC |
Produkt ist nicht verfügbar |
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GC10MPS12-220 | Hersteller : GeneSiC Semiconductor |
Description: DIODE SIL CARB 1200V 54A TO220 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-2 Mounting Type: Through Hole Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 660pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 54A Supplier Device Package: TO-220-2 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 10 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 1200 V |
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GC10MPS12-220 | Hersteller : GeneSiC SEMICONDUCTOR |
Category: THT Schottky diodes Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 10A; TO220-2; tube Max. forward voltage: 1.5V Load current: 10A Max. forward impulse current: 80A Max. off-state voltage: 1.2kV Mounting: THT Features of semiconductor devices: MPS Kind of package: tube Type of diode: Schottky rectifying Technology: SiC Semiconductor structure: single diode Case: TO220-2 |
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