GC15MPS12-220 GeneSiC Semiconductor
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| Anzahl | Preis |
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| 1+ | 11.97 EUR |
| 10+ | 10.61 EUR |
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| 100+ | 9.42 EUR |
| 250+ | 8.98 EUR |
| 500+ | 8.87 EUR |
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Technische Details GC15MPS12-220 GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE SIL CARB 1200V 82A TO220, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-2, Mounting Type: Through Hole, Speed: No Recovery Time > 500mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 0 ns, Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky, Capacitance @ Vr, F: 1089pF @ 1V, 1MHz, Current - Average Rectified (Io): 82A, Supplier Device Package: TO-220-2, Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 15 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 14 µA @ 1200 V.
Weitere Produktangebote GC15MPS12-220
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis |
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GC15MPS12-220 | Hersteller : GeneSiC Semiconductor |
 Diode Schottky SiC 1.2KV 82A 2-Pin(2+Tab) TO-220AC |
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GC15MPS12-220 | Hersteller : GeneSiC Semiconductor |
Diode Schottky SiC 1.2KV 82A 2-Pin(2+Tab) TO-220AC |
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GC15MPS12-220 | Hersteller : GeneSiC Semiconductor |
Rectifier Diode Schottky SiC 1.2KV 82A 2-Pin(2+Tab) TO-220AC |
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GC15MPS12-220 | Hersteller : GeneSiC Semiconductor |
Rectifier Diode Schottky SiC 1.2KV 82A 2-Pin(2+Tab) TO-220AC |
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GC15MPS12-220 | Hersteller : GeneSiC Semiconductor |
Description: DIODE SIL CARB 1200V 82A TO220 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-2 Mounting Type: Through Hole Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 1089pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 82A Supplier Device Package: TO-220-2 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 15 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 14 µA @ 1200 V |
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