GD10MPS17H GeneSiC Semiconductor
Hersteller: GeneSiC SemiconductorDescription: DIODE SIL CARB 1.7KV 26A TO247-2
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 721pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 26A
Supplier Device Package: TO-247-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1700 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 20 µA @ 1700 V
auf Bestellung 726 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
| Anzahl | Preis ohne MwSt |
|---|---|
| 2+ | 19.6 EUR |
| 10+ | 17.53 EUR |
| 25+ | 16.76 EUR |
| 100+ | 15.65 EUR |
| 250+ | 14.98 EUR |
| 500+ | 14.48 EUR |
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Technische Details GD10MPS17H GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE SIL CARB 1.7KV 26A TO247-2, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-2, Mounting Type: Through Hole, Speed: No Recovery Time > 500mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 0 ns, Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky, Capacitance @ Vr, F: 721pF @ 1V, 1MHz, Current - Average Rectified (Io): 26A, Supplier Device Package: TO-247-2, Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1700 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 10 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 20 µA @ 1700 V.
Weitere Produktangebote GD10MPS17H nach Preis ab 12.36 EUR bis 35.75 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||
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GD10MPS17H | Hersteller : GeneSiC Semiconductor |
Schottky Diodes & Rectifiers 1700V 10A TO-247-2 SiC Schottky MPS |
auf Bestellung 7350 Stücke: Lieferzeit 14-28 Tag (e) |
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| GD10MPS17H | Hersteller : GeneSiC SEMICONDUCTOR |
GD10MPS17H THT Schottky diodes |
auf Bestellung 2 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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