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GD10MPS17H

GD10MPS17H GeneSiC Semiconductor

gd10mps17h.pdf
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Diode Schottky 1.7KV 26A 2-Pin(2+Tab) TO-247
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Technische Details GD10MPS17H GeneSiC Semiconductor

Description: DIODE SIL CARB 1700V 26A TO2472, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-2, Mounting Type: Through Hole, Speed: No Recovery Time > 500mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 0 ns, Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky, Capacitance @ Vr, F: 721pF @ 1V, 1MHz, Current - Average Rectified (Io): 26A, Supplier Device Package: TO-247-2, Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1700 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 10 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 20 µA @ 1700 V.

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GD10MPS17H GD10MPS17H GeneSiC Semiconductor GD10MPS17H.pdf SiC Schottky Diodes 1700V 10A TO-247-2 SiC Schottky MPS
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GD10MPS17H GD10MPS17H GeneSiC SEMICONDUCTOR GD10MPS17H.pdf Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.7kV; 10A; TO247-2; tube
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 1.7kV
Load current: 10A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO247-2
Max. forward voltage: 2.1V
Max. forward impulse current: 80A
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: MPS
Max. load current: 42A
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Hersteller: GeneSiC SEMICONDUCTOR
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.7kV; 10A; TO247-2; tube
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 1.7kV
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