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GD10MPS17H

GD10MPS17H GeneSiC Semiconductor

gd10mps17h.pdf Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Diode Schottky 1.7KV 26A 2-Pin(2+Tab) TO-247
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Technische Details GD10MPS17H GeneSiC Semiconductor

Description: DIODE SIL CARB 1.7KV 26A TO247-2, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-2, Mounting Type: Through Hole, Speed: No Recovery Time > 500mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 0 ns, Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky, Capacitance @ Vr, F: 721pF @ 1V, 1MHz, Current - Average Rectified (Io): 26A, Supplier Device Package: TO-247-2, Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1700 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 10 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 20 µA @ 1700 V.

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GD10MPS17H GD10MPS17H Hersteller : GeneSiC Semiconductor gd10mps17h.pdf Diode Schottky 1.7KV 26A 2-Pin(2+Tab) TO-247
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GD10MPS17H GD10MPS17H Hersteller : GeneSiC Semiconductor GD10MPS17H-3479763.pdf SiC Schottky Diodes 1700V 10A TO-247-2 SiC Schottky MPS
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GD10MPS17H GD10MPS17H Hersteller : GeneSiC Semiconductor GD10MPS17H.pdf Description: DIODE SIL CARB 1.7KV 26A TO247-2
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 721pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 26A
Supplier Device Package: TO-247-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1700 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 20 µA @ 1700 V
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GD10MPS17H GD10MPS17H Hersteller : GeneSiC Semiconductor gd10mps17h.pdf Diode Schottky 1.7KV 26A 2-Pin(2+Tab) TO-247
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GD10MPS17H Hersteller : GeneSiC SEMICONDUCTOR GD10MPS17H.pdf GD10MPS17H THT Schottky diodes
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GD10MPS17H GD10MPS17H Hersteller : GeneSiC Semiconductor gd10mps17h.pdf Diode Schottky 1.7KV 26A 2-Pin(2+Tab) TO-247
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