GE2X8MPS06D

GE2X8MPS06D

Hersteller: GeneSiC Semiconductor Inc.
Material: GE2X8MPS06D THT Schottky diodes
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Technische Details GE2X8MPS06D

Description: 650V 16A TO-247-3 SIC SCHOTTKY M, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V, Part Status: Active, Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C, Supplier Device Package: TO-247-3, Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 19A (DC), Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode, Speed: No Recovery Time > 500mA (Io), Diode Type: Silicon Carbide Schottky, Mounting Type: Through Hole, Package / Case: TO-247-3, Packaging: Tube.

Preis GE2X8MPS06D ab 5.59 EUR bis 14.12 EUR

GE2X8MPS06D
GE2X8MPS06D
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Schottky Diodes & Rectifiers 650V 16A TO-247-3 SiC Schottky MPS
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GE2X8MPS06D
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: 650V 16A TO-247-3 SIC SCHOTTKY M
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Supplier Device Package: TO-247-3
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 19A (DC)
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Diode Type: Silicon Carbide Schottky
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
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Hersteller: GeneSiC Semiconductor Inc.
Material: GE2X8MPS06D THT Schottky diodes
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