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GE2X8MPS06D

GE2X8MPS06D GeneSiC SEMICONDUCTOR

pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDB87B5F7D2B0E420C7&compId=GE2X8MPS06D.pdf?ci_sign=d66b91dcf83eef08485d0063aca1ea9d1b133d03 Hersteller: GeneSiC SEMICONDUCTOR
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 8Ax2; TO247-3; tube
Semiconductor structure: common cathode; double
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: MPS
Mounting: THT
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Case: TO247-3
Max. forward voltage: 1.25V
Load current: 8A x2
Max. load current: 16A
Max. forward impulse current: 36A
Max. off-state voltage: 650V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 60 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
16+4.53 EUR
17+4.45 EUR
Mindestbestellmenge: 16
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Technische Details GE2X8MPS06D GeneSiC SEMICONDUCTOR

Category: THT Schottky diodes, Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 8Ax2; TO247-3; tube, Semiconductor structure: common cathode; double, Kind of package: tube, Features of semiconductor devices: MPS, Mounting: THT, Type of diode: Schottky rectifying, Technology: SiC, Case: TO247-3, Max. forward voltage: 1.25V, Load current: 8A x2, Max. load current: 16A, Max. forward impulse current: 36A, Max. off-state voltage: 650V, Anzahl je Verpackung: 1 Stücke.

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GE2X8MPS06D GE2X8MPS06D Hersteller : GeneSiC SEMICONDUCTOR pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDB87B5F7D2B0E420C7&compId=GE2X8MPS06D.pdf?ci_sign=d66b91dcf83eef08485d0063aca1ea9d1b133d03 Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 8Ax2; TO247-3; tube
Semiconductor structure: common cathode; double
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: MPS
Mounting: THT
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Case: TO247-3
Max. forward voltage: 1.25V
Load current: 8A x2
Max. load current: 16A
Max. forward impulse current: 36A
Max. off-state voltage: 650V
auf Bestellung 60 Stücke:
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16+4.53 EUR
17+4.45 EUR
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GE2X8MPS06D GE2X8MPS06D Hersteller : GeneSiC Semiconductor GE2X8MPS06D.pdf Description: 650V 16A TO-247-3 SIC SCHOTTKY M
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 19A (DC)
Supplier Device Package: TO-247-3
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
auf Bestellung 58 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
2+9.13 EUR
10+8.13 EUR
25+7.76 EUR
Mindestbestellmenge: 2
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GE2X8MPS06D GE2X8MPS06D Hersteller : GeneSiC Semiconductor GE2X8MPS06D-2449361.pdf Schottky Diodes & Rectifiers 650V 16A TO-247-3 SiC Schottky MPS
auf Bestellung 838 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+9.45 EUR
10+8.41 EUR
30+8.03 EUR
120+7.48 EUR
270+7.13 EUR
510+6.88 EUR
1020+6.81 EUR
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GE2X8MPS06D Hersteller : GeneSiC Semiconductor ge2x8mps06d.pdf Silicon Carbide Schottky Diode
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