
GE2X8MPS06D GeneSiC Semiconductor

Description: 650V 16A TO-247-3 SIC SCHOTTKY M
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 19A (DC)
Supplier Device Package: TO-247-3
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
auf Bestellung 58 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl | Preis |
---|---|
2+ | 9.13 EUR |
10+ | 8.13 EUR |
25+ | 7.76 EUR |
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben
Technische Details GE2X8MPS06D GeneSiC Semiconductor
Description: 650V 16A TO-247-3 SIC SCHOTTKY M, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Speed: No Recovery Time > 500mA (Io), Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky, Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode, Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 19A (DC), Supplier Device Package: TO-247-3, Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C, Part Status: Active, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V.
Weitere Produktangebote GE2X8MPS06D nach Preis ab 5.06 EUR bis 9.45 EUR
Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
GE2X8MPS06D | Hersteller : GeneSiC Semiconductor |
![]() |
auf Bestellung 838 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
||||||||||||||||
GE2X8MPS06D | Hersteller : GeneSiC SEMICONDUCTOR |
![]() |
auf Bestellung 60 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
|
|||||||||||||||||
GE2X8MPS06D | Hersteller : GeneSiC Semiconductor |
![]() |
Produkt ist nicht verfügbar |