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IPU80R2K8CEBKMA1

IPU80R2K8CEBKMA1 Infineon

Infineon-IPX80R2K8CE-DS-v02_01-en.pdf?fileId=db3a304340155f3d01402f5e5f1f274f
Produktcode: 105297
Hersteller: Infineon
Uds,V: 800 V
Idd,A: 1,9 A
Rds(on), Ohm: 2,8 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 290/12
JHGF: THT
ZCODE: 8541290010
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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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IPU80R2K8CEBKMA1 IPU80R2K8CEBKMA1 Hersteller : Infineon Technologies Infineon-IPX80R2K8CE-DS-v02_01-en.pdf?fileId=db3a304340155f3d01402f5e5f1f274f Description: MOSFET N-CH 800V 1.9A TO251-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8Ohm @ 1.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 120µA
Supplier Device Package: PG-TO251-3
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 290 pF @ 100 V
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IPU80R2K8CEBKMA1 IPU80R2K8CEBKMA1 Hersteller : Infineon Technologies Infineon_IPX80R2K8CE_DataSheet_v02_03_EN-1732015.pdf MOSFET N-Ch 800V 1.9A IPAK-3
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Nennspannung: 450V
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