IRF820
Produktcode: 17799
Hersteller: IRGehäuse: TO-220AB
Uds,V: 500
Idd,A: 02.05.2015
Rds(on), Ohm: 3
Ciss, pF/Qg, nC: 360/24
JHGF: THT
verfügbar 114 Stück:
12 Stück - stock Köln
102 Stück - lieferbar in 3-4 Wochen
Anzahl | Preis ohne MwSt |
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1+ | 0.5 EUR |
10+ | 0.42 EUR |
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Technische Details IRF820 IR
- Single N-Channel HEXFET Power MOSFET, Dr
- Case style: TO-220 (a)
- Current, Id cont: 2.5A @ 25`C
- Current, Idm pulse: 10A
- Power, Pd: 40W @ 25`C
- Resistance, Rds on: 3R
- Transistor polarity: N Channel
- Voltage, Vds max: 500V
- Manufacturer, abbreviated: IR
- Pin format: 1 g 2 d/tab 3 s
- Pitch, lead: 2.54mm
- Power dissipation: 40W @ 25`C
- Temperature, current: 25`C
- Temperature, power rating: 25`C
- Transistors, number of: 1
Weitere Produktangebote IRF820 nach Preis ab 0.95 EUR bis 1.35 EUR
Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||
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IRF820 | Hersteller : Harris Corporation |
Description: 2.5A, 500V, 3.000 OHM, N-CHANNEL Packaging: Bulk Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 1.5A, 10V Power Dissipation (Max): 80W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220AB Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 315 pF @ 25 V |
auf Bestellung 3895 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IRF820 | Hersteller : Siliconix |
N-MOSFET 3A 500V 50W 3Ω IRF820 TIRF820 Anzahl je Verpackung: 10 Stücke |
auf Bestellung 380 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IRF820 | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - IRF820 - IRF820, SINGLE MOSFETS tariffCode: 85412900 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
auf Bestellung 3895 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF820 | Hersteller : Vishay | Trans MOSFET N-CH 500V 2.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
Produkt ist nicht verfügbar |
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IRF820 | Hersteller : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 500V 2.5A TO220AB Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 1.5A, 10V Power Dissipation (Max): 50W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220AB Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 360 pF @ 25 V |
Produkt ist nicht verfügbar |
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IRF820 | Hersteller : STMicroelectronics |
Description: MOSFET N-CH 500V 4A TO220AB Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 1.5A, 10V Power Dissipation (Max): 80W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 315 pF @ 25 V |
Produkt ist nicht verfügbar |
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IRF820 | Hersteller : Vishay / Siliconix | MOSFETs RECOMMENDED ALT IRF820PBF |
Produkt ist nicht verfügbar |
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IRF820 | Hersteller : STMicroelectronics | MOSFETs N-Ch 500 Volt 4 Amp |
Produkt ist nicht verfügbar |
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IRF820 | Hersteller : onsemi / Fairchild | MOSFETs |
Produkt ist nicht verfügbar |
Mit diesem Produkt kaufen
TNY268PN Produktcode: 23626 |
Hersteller: PI
IC > IC Netzteile
Gehäuse: DIP-8
Eigenschaften: AC/DC Switching
Spannung, eing., V: 85...265VAC
I-ausg., A: 588mA
Fosc, kHz: 132
Temperaturbereich: -40...+150°C
IC > IC Netzteile
Gehäuse: DIP-8
Eigenschaften: AC/DC Switching
Spannung, eing., V: 85...265VAC
I-ausg., A: 588mA
Fosc, kHz: 132
Temperaturbereich: -40...+150°C
verfügbar: 180 Stück
19 Stück - stock Köln
161 Stück - lieferbar in 3-4 Wochen
161 Stück - lieferbar in 3-4 Wochen
Anzahl | Preis ohne MwSt |
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1+ | 1.92 EUR |
10+ | 1.54 EUR |
IRF630NPBF Produktcode: 15961 |
Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 200
Idd,A: 09.03.2015
Rds(on), Ohm: 01.03.2000
Ciss, pF/Qg, nC: 575/35
JHGF: THT
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 200
Idd,A: 09.03.2015
Rds(on), Ohm: 01.03.2000
Ciss, pF/Qg, nC: 575/35
JHGF: THT
verfügbar: 99 Stück
2 Stück - stock Köln
97 Stück - lieferbar in 3-4 Wochen
97 Stück - lieferbar in 3-4 Wochen
Anzahl | Preis ohne MwSt |
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1+ | 0.36 EUR |
10+ | 0.35 EUR |
Sicherung 5x20mm 2A 250V (50F-020H) Produktcode: 22377 |
Hersteller: Hollyland
Sicherungen > Schmelzsicherungen
Funktionsbeschreibung: Schmelzsicherungen, in Glas, 2A 250V 5x20mm F
Nennstrom, А: 2A
Größe: 5х20mm
Bemerkung: Без виводів
Матеріал корпуса: Скло
Номінальна напруга: 250 VAC
Швидкодія: Швидкий
Sicherungen > Schmelzsicherungen
Funktionsbeschreibung: Schmelzsicherungen, in Glas, 2A 250V 5x20mm F
Nennstrom, А: 2A
Größe: 5х20mm
Bemerkung: Без виводів
Матеріал корпуса: Скло
Номінальна напруга: 250 VAC
Швидкодія: Швидкий
verfügbar: 13022 Stück
9 Stück - stock Köln
13013 Stück - lieferbar in 3-4 Wochen
13013 Stück - lieferbar in 3-4 Wochen
Anzahl | Preis ohne MwSt |
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1+ | 0.05 EUR |
10+ | 0.035 EUR |
100+ | 0.025 EUR |
100uH 10% (RLB0912-101KL Bourns) Produktcode: 77043 |
Hersteller: Bourns
Drosseln > Induktivitäten (Drosseln) Leistungsabgabe
Nennwert: 100 uH
Beschreibung und Eigenschaften: Leistungs-, Draht, auf Ferrithantel, 100uH±10% Ток: 660 mA. Stromresistenz: 330 mOh. Eigenschwingungsfrequenz: 7.2 MHz.
Typ: Ausgang radial, Draht auf Ferrithantel
Abmessungen: Länge: 8.7 mm. Höhe: 0.65 mm. Durchmesser: 8.7 mm.
Робочий струм, А: 0,66 A
Drosseln > Induktivitäten (Drosseln) Leistungsabgabe
Nennwert: 100 uH
Beschreibung und Eigenschaften: Leistungs-, Draht, auf Ferrithantel, 100uH±10% Ток: 660 mA. Stromresistenz: 330 mOh. Eigenschwingungsfrequenz: 7.2 MHz.
Typ: Ausgang radial, Draht auf Ferrithantel
Abmessungen: Länge: 8.7 mm. Höhe: 0.65 mm. Durchmesser: 8.7 mm.
Робочий струм, А: 0,66 A
Produkt ist nicht verfügbar
D2UB100 Produktcode: 89528 |
Hersteller: YJ
Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Diodenbrücken und Baugruppen
Gehäuse: D3K
Urew: 1000V
I dir: 2A
Zus.Info: Einiphasen-Brücke
Монтаж: THT
Імпульсний струм, А: 35 A
Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Diodenbrücken und Baugruppen
Gehäuse: D3K
Urew: 1000V
I dir: 2A
Zus.Info: Einiphasen-Brücke
Монтаж: THT
Імпульсний струм, А: 35 A
auf Bestellung 577 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)Anzahl | Preis ohne MwSt |
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1+ | 0.22 EUR |
10+ | 0.2 EUR |
100+ | 0.17 EUR |