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IRF820

IRF820

IRF820.pdf
Produktcode: 17799
Hersteller: IR
Gehäuse: TO-220AB
Uds,V: 500
Idd,A: 02.05.2015
Rds(on), Ohm: 3
Ciss, pF/Qg, nC: 360/24
JHGF: THT
verfügbar 89 Stück:
12 Stück - stock Köln
77 Stück - lieferbar in 3-4 Wochen
Anzahl Preis
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10+0.42 EUR
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Technische Details IRF820 IR

  • Single N-Channel HEXFET Power MOSFET, Dr
  • Case style: TO-220 (a)
  • Current, Id cont: 2.5A @ 25`C
  • Current, Idm pulse: 10A
  • Power, Pd: 40W @ 25`C
  • Resistance, Rds on: 3R
  • Transistor polarity: N Channel
  • Voltage, Vds max: 500V
  • Manufacturer, abbreviated: IR
  • Pin format: 1 g 2 d/tab 3 s
  • Pitch, lead: 2.54mm
  • Power dissipation: 40W @ 25`C
  • Temperature, current: 25`C
  • Temperature, power rating: 25`C
  • Transistors, number of: 1

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis
IRF820 Hersteller : Harris Corporation HRISSA16-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: 2.5A, 500V, 3.000 OHM, N-CHANNEL
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 80W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 315 pF @ 25 V
auf Bestellung 3895 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
412+1.13 EUR
Mindestbestellmenge: 412
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IRF820 Hersteller : HARRIS HRISSA16-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw 91059.pdf en.CD00001545.pdf IRF820
auf Bestellung 2460 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
429+1.26 EUR
500+1.1 EUR
1000+0.97 EUR
Mindestbestellmenge: 429
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IRF820 Hersteller : HARRIS HRISSA16-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw 91059.pdf en.CD00001545.pdf IRF820
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IRF820 Hersteller : Siliconix HRISSA16-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw 91059.pdf en.CD00001545.pdf N-MOSFET 3A 500V 50W 3Ω IRF820 TIRF820
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 370 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
30+1.32 EUR
Mindestbestellmenge: 30
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IRF820 Hersteller : ONSEMI HRISSA16-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: ONSEMI - IRF820 - IRF820, SINGLE MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 3895 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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IRF820 IRF820 Hersteller : Vishay 91057.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 2.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
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IRF820 IRF820 Hersteller : Vishay Siliconix 91059.pdf Description: MOSFET N-CH 500V 2.5A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 360 pF @ 25 V
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IRF820 IRF820 Hersteller : STMicroelectronics en.CD00001545.pdf Description: MOSFET N-CH 500V 4A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 80W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 315 pF @ 25 V
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IRF820 IRF820 Hersteller : Vishay / Siliconix HRISSA16-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw 91059.pdf en.CD00001545.pdf MOSFETs RECOMMENDED ALT IRF8
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IRF820 IRF820 Hersteller : STMicroelectronics stmicroelectronics_cd00001545.pdf MOSFETs N-Ch 500 Volt 4 Amp
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IRF820 IRF820 Hersteller : onsemi / Fairchild FairchildSemiconductor_16141112277657-1191830.pdf MOSFETs
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22uF 63V EHR 6,3x11mm (EHR220M63B-Hitano)
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EHR_081225.pdf
22uF 63V EHR 6,3x11mm (EHR220M63B-Hitano)
Hersteller: Hitano
Kondensatoren > Kondensatoren elektrolytische THT
Kapazität: 22uF
Nennspannung: 63V
Reihe: EHR
Temp.Bereich: -40...+105°C
Abmessungen: 6,3x11mm
Lebensdauer: 6,3х11mm
№ 8: 2000 годин
8532 22 00 00
verfügbar: 2015 Stück
300 Stück - stock Köln
1715 Stück - lieferbar in 3-4 Wochen
Anzahl Preis
1+0.04 EUR
10+0.03 EUR
100+0.018 EUR
1000+0.017 EUR
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Sicherung 5x20mm 2A 250V (50F-020H)
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Sicherung 5x20mm 2A 250V (50F-020H)
Hersteller: Hollyland
Sicherungen > Schmelzsicherungen
Funktionsbeschreibung: Schmelzsicherungen, in Glas, 2A 250V 5x20mm F
Nennstrom, А: 2A
Größe: 5х20mm
Bemerkung: Без виводів
Матеріал корпуса: Скло
Номінальна напруга: 250 VAC
Швидкодія: Швидкий
verfügbar: 10767 Stück
9 Stück - stock Köln
10758 Stück - lieferbar in 3-4 Wochen
Anzahl Preis
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10+0.035 EUR
100+0.025 EUR
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TNY268PN
Produktcode: 23626
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description tny263_268-8433 (2).pdf
TNY268PN
Hersteller: PI
IC > IC Netzteile
Gehäuse: DIP-8
Eigenschaften: AC/DC Switching
Spannung, eing., V: 85...265VAC
I-ausg., A: 588mA
Fosc, kHz: 132
Temperaturbereich: -40...+150°C
verfügbar: 105 Stück
18 Stück - stock Köln
87 Stück - lieferbar in 3-4 Wochen
Anzahl Preis
1+1.92 EUR
10+1.54 EUR
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10uF 160V EHR 10x13mm (EHR100M2CB-Hitano) (Elektrolytkondensator)
Produktcode: 50429
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EHR_081225.pdf
10uF 160V EHR 10x13mm (EHR100M2CB-Hitano) (Elektrolytkondensator)
Hersteller: Hitano
Kondensatoren > Kondensatoren elektrolytische THT
Kapazität: 10uF
Nennspannung: 160V
Reihe: EHR
Temp.Bereich: -25...+105°C
Abmessungen: 10х13mm
Lebensdauer: 10х13mm
№ 8: 2000 годин
8532 22 00 00
verfügbar: 684 Stück
60 Stück - stock Köln
624 Stück - lieferbar in 3-4 Wochen
Anzahl Preis
1+0.08 EUR
10+0.06 EUR
100+0.049 EUR
1000+0.044 EUR
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2W10
Produktcode: 86171
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datasheet-2w10.pdf
2W10
Hersteller: Discrete/ SEP
Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Diodenbrücken und Baugruppen
Gehäuse: WOL
Urew: 1000 V
I dir: 2 А
Zus.Info: Однофазний
Auwechselbar:: 2W02, 2W04, 2W06, 2W08, 2W10, 2W02G, 2W04G, 2W06G, 2W08G, 2W10G, 2W02M, 2W04M, 2W06M, 2W08M
Монтаж: THT
Імпульсний струм, А: 50 A
auf Bestellung 809 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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