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IRF820

IRF820

IRF820.pdf
Produktcode: 17799
Hersteller: IR
Gehäuse: TO-220AB
Uds,V: 500
Idd,A: 02.05.2015
Rds(on), Ohm: 3
Ciss, pF/Qg, nC: 360/24
JHGF: THT
verfügbar 12 St.:
Anzahl Preis
1+0.5 EUR
10+0.42 EUR
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Technische Details IRF820 IR

  • Single N-Channel HEXFET Power MOSFET, Dr
  • Case style: TO-220 (a)
  • Current, Id cont: 2.5A @ 25`C
  • Current, Idm pulse: 10A
  • Power, Pd: 40W @ 25`C
  • Resistance, Rds on: 3R
  • Transistor polarity: N Channel
  • Voltage, Vds max: 500V
  • Manufacturer, abbreviated: IR
  • Pin format: 1 g 2 d/tab 3 s
  • Pitch, lead: 2.54mm
  • Power dissipation: 40W @ 25`C
  • Temperature, current: 25`C
  • Temperature, power rating: 25`C
  • Transistors, number of: 1

Möglichen Substitutionen IRF820 IR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis
IRF820 IRF820
Produktcode: 214393
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Hersteller : Siliconix IRF820-siliconix.pdf Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220AB
Uds,V: 500 V
Idd,A: 2,5 A
Rds(on), Ohm: 3 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 360/24
JHGF: THT
auf Bestellung 45 St.:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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IRF820 IRF820
Produktcode: 214393
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Hersteller : Siliconix IRF820-siliconix.pdf Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220AB
Uds,V: 500 V
Idd,A: 2,5 A
Rds(on), Ohm: 3 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 360/24
JHGF: THT
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IRF820 Hersteller : HARRIS HRISSA16-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw 91059.pdf en.CD00001545.pdf IRF820
auf Bestellung 2650 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
429+1.26 EUR
500+1.1 EUR
1000+0.97 EUR
Mindestbestellmenge: 429
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IRF820 Hersteller : HARRIS HRISSA16-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw 91059.pdf en.CD00001545.pdf IRF820
auf Bestellung 1355 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
429+1.26 EUR
500+1.1 EUR
1000+0.97 EUR
Mindestbestellmenge: 429
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IRF820 Hersteller : Harris Corporation HRISSA16-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: 2.5A, 500V, 3.000 OHM, N-CHANNEL
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 80W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 315 pF @ 25 V
auf Bestellung 4085 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
343+1.33 EUR
Mindestbestellmenge: 343
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IRF820 Hersteller : Siliconix HRISSA16-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw 91059.pdf en.CD00001545.pdf N-MOSFET 3A 500V 50W 3Ω IRF820 TIRF820
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 370 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
20+1.4 EUR
Mindestbestellmenge: 20
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IRF820 Hersteller : ONSEMI HRISSA16-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: ONSEMI - IRF820 - IRF820, SINGLE MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 3895 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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IRF820 IRF820 Hersteller : Vishay Siliconix 91059.pdf Description: MOSFET N-CH 500V 2.5A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 360 pF @ 25 V
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IRF820 IRF820 Hersteller : STMicroelectronics en.CD00001545.pdf Description: MOSFET N-CH 500V 4A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 80W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 315 pF @ 25 V
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IRF820 IRF820 Hersteller : Vishay / Siliconix HRISSA16-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw 91059.pdf en.CD00001545.pdf MOSFETs RECOMMENDED ALT IRF8
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IRF820 IRF820 Hersteller : onsemi / Fairchild FairchildSemiconductor_16141112277657.pdf MOSFETs
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10uF 160V EHR 10x13mm (EHR100M2CB-Hitano) (Elektrolytkondensator)
Produktcode: 50429
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EHR_081225.pdf
10uF 160V EHR 10x13mm (EHR100M2CB-Hitano) (Elektrolytkondensator)
Hersteller: Hitano
Kondensatoren > Kondensatoren elektrolytische THT
Kapazität: 10uF
Nennspannung: 160V
Reihe: EHR
Temp.Bereich: -25...+105°C
Abmessungen: 10х13mm
Lebensdauer: 10х13mm
№ 8: 2000 годин
8532 22 00 00
verfügbar: 2406 St.
60 St. - stock Köln
2346 St. - lieferbar in 3-4 Wochen
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10+0.06 EUR
100+0.049 EUR
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2,2uF 50V ECR 5x11mm (ECR2R2M50B-Hitano)
Produktcode: 3112
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ECR_081225.pdf
2,2uF 50V ECR 5x11mm (ECR2R2M50B-Hitano)
Hersteller: Hitano
Kondensatoren > Kondensatoren elektrolytische THT
Kapazität: 2,2uF
Nennspannung: 50V
Reihe: ECR
Temp.Bereich: -40...+85°C
Abmessungen: 5x11mm
Lebensdauer: 5х11mm
№ 8: 2000 годин
8532 22 00 00
verfügbar: 4659 St.
469 St. - stock Köln
4190 St. - lieferbar in 3-4 Wochen
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10+0.03 EUR
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10uF 63V EHR 5x11mm (EHR100M63B-Hitano)
Produktcode: 3048
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EHR_081225.pdf
10uF 63V EHR 5x11mm (EHR100M63B-Hitano)
Hersteller: Hitano
Kondensatoren > Kondensatoren elektrolytische THT
Kapazität: 10uF
Nennspannung: 63V
Reihe: EHR
Temp.Bereich: -40...+105°C
Abmessungen: 5x11mm
Lebensdauer: 5х11mm
№ 8: 2000 годин
8532 22 00 00
auf Bestellung 78 St.:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
erwartet 10000 St.:
10000 St. - erwartet 15.06.2026
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10+0.03 EUR
100+0.018 EUR
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100uF 35V EHR 8x12mm (EHR101M35B-Hitano)
Produktcode: 3016
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EHR_081225.pdf
100uF 35V EHR 8x12mm (EHR101M35B-Hitano)
Hersteller: Hitano
Kondensatoren > Kondensatoren elektrolytische THT
Kapazität: 100uF
Nennspannung: 35V
Reihe: EHR
Temp.Bereich: -40...+105°C
Abmessungen: 8x12mm
Lebensdauer: 8х12mm
№ 8: 2000 годин
8532 22 00 00
verfügbar: 10632 St.
485 St. - stock Köln
10147 St. - lieferbar in 3-4 Wochen
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10+0.06 EUR
100+0.03 EUR
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10uF 50V EMR 5x7mm (EMR100M50B-Hitano)
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10uF 50V EMR 5x7mm (EMR100M50B-Hitano)
Hersteller: Hitano
Kondensatoren > Kondensatoren elektrolytische THT
Kapazität: 10uF
Nennspannung: 50V
Reihe: EMR-Super-Miniatur
Temp.Bereich: -40...+105°C
Abmessungen: 5x7mm
Lebensdauer: 5х7mm
№ 8: 1000 годин
8532 22 00 00
verfügbar: 4302 St.
277 St. - stock Köln
4025 St. - lieferbar in 3-4 Wochen
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100+0.023 EUR
1000+0.021 EUR
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