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IRF820

IRF820

IRF820.pdf
Produktcode: 17799
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Hersteller: IR
Gehäuse: TO-220AB
Drain-Source-Spannung Uds, V: 500 V
Drain-Strom Idd, A: 2,5 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 3 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 360/24
Montage: THT
verfügbar: 12 St.
    AnzahlPrivatkunde
    1+0.6 EUR
    10+0.5 EUR
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    Technische Details IRF820 IR

    • Single N-Channel HEXFET Power MOSFET, Dr
    • Case style: TO-220 (a)
    • Current, Id cont: 2.5A @ 25`C
    • Current, Idm pulse: 10A
    • Power, Pd: 40W @ 25`C
    • Resistance, Rds on: 3R
    • Transistor polarity: N Channel
    • Voltage, Vds max: 500V
    • Manufacturer, abbreviated: IR
    • Pin format: 1 g 2 d/tab 3 s
    • Pitch, lead: 2.54mm
    • Power dissipation: 40W @ 25`C
    • Temperature, current: 25`C
    • Temperature, power rating: 25`C
    • Transistors, number of: 1

    Möglichen Substitutionen IRF820 IR

    Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
    IRF820 IRF820
    Produktcode: 214393
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    		Siliconix IRF820-siliconix.pdf description Transistoren > MOSFET N-CH
    Gehäuse: TO-220AB
    Drain-Source-Spannung Uds, V: 500 V
    Drain-Strom Idd, A: 2,5 A
    Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 3 Ohm
    Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 360/24
    Montage: THT
    auf Bestellung 43 St.:
    Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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    IRF820
    Produktcode: 214393
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    		description IRF820-siliconix.pdf
    IRF820
    Hersteller: Siliconix
    Transistoren > MOSFET N-CH
    Gehäuse: TO-220AB
    Drain-Source-Spannung Uds, V: 500 V
    Drain-Strom Idd, A: 2,5 A
    Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 3 Ohm
    Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 360/24
    Montage: THT
    auf Bestellung 43 St.:
    Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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    Weitere Produktangebote IRF820 nach Preis ab 1.21 EUR bis 1.65 EUR

    Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
    IRF820 IRF820
    Produktcode: 220162
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    		ST IRF820.pdf description Transistoren > MOSFET N-CH
    Gehäuse: SOT-23
    Drain-Source-Spannung Uds, V: 500 V
    Drain-Strom Idd, A: 0,17 A
    Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 10 Ohm
    Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 29/1,4
    Montage: SMD
    auf Bestellung 20 St.:
    Lieferzeit 21-28 Tag (e)
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    IRF820 IRF820 Siliconix info-tirf820.pdf description N-MOSFET 3A 500V 50W 3Ω IRF820 TIRF820
    Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
    auf Bestellung 370 Stücke:
    Lieferzeit 7-14 Tag (e)
    20+1.65 EUR
    Mindestbestellmenge: 20 Stücke
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    IRF820 HARRIS HRISSA16-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw 91059.pdf en.CD00001545.pdf description IRF820
    auf Bestellung 2650 Stücke:
    Lieferzeit 14-21 Tag (e)
    429+1.52 EUR
    500+1.34 EUR
    1000+1.21 EUR
    Mindestbestellmenge: 429 Stücke
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    IRF820 HARRIS HRISSA16-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw 91059.pdf en.CD00001545.pdf description IRF820
    auf Bestellung 1355 Stücke:
    Lieferzeit 14-21 Tag (e)
    429+1.52 EUR
    500+1.34 EUR
    1000+1.21 EUR
    Mindestbestellmenge: 429 Stücke
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    IRF820 Harris Corporation HRISSA16-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw description Description: 2.5A, 500V, 3.000 OHM, N-CHANNEL
    Packaging: Bulk
    Package / Case: TO-220-3
    Mounting Type: Through Hole
    Operating Temperature: 150°C (TJ)
    Technology: MOSFET (Metal Oxide)
    FET Type: N-Channel
    Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
    Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 1.5A, 10V
    Power Dissipation (Max): 80W (Tc)
    Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
    Supplier Device Package: TO-220AB
    Part Status: Active
    Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
    Vgs (Max): ±30V
    Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
    Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
    Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 315 pF @ 25 V
    auf Bestellung 4085 Stücke:
    Lieferzeit 10-14 Tag (e)
    343+1.57 EUR
    Mindestbestellmenge: 343 Stücke
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    IRF820
    Produktcode: 220162
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    		description IRF820.pdf
    IRF820
    Hersteller: ST
    Transistoren > MOSFET N-CH
    Gehäuse: SOT-23
    Drain-Source-Spannung Uds, V: 500 V
    Drain-Strom Idd, A: 0,17 A
    Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 10 Ohm
    Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 29/1,4
    Montage: SMD
    auf Bestellung 20 St.:
    Lieferzeit 21-28 Tag (e)
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    IRF820 description info-tirf820.pdf
    IRF820
    Hersteller: Siliconix
    N-MOSFET 3A 500V 50W 3Ω IRF820 TIRF820
    Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
    auf Bestellung 370 Stücke:
    Lieferzeit 7-14 Tag (e)
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    20+1.65 EUR
    Mindestbestellmenge: 20 Stücke
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    IRF820 description HRISSA16-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw 91059.pdf en.CD00001545.pdf
    Hersteller: HARRIS
    IRF820
    auf Bestellung 2650 Stücke:
    Lieferzeit 14-21 Tag (e)
    AnzahlPrivatkunde
    429+1.52 EUR
    500+1.34 EUR
    1000+1.21 EUR
    Mindestbestellmenge: 429 Stücke
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    IRF820 description HRISSA16-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw 91059.pdf en.CD00001545.pdf
    Hersteller: HARRIS
    IRF820
    auf Bestellung 1355 Stücke:
    Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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    429+1.52 EUR
    500+1.34 EUR
    1000+1.21 EUR
    Mindestbestellmenge: 429 Stücke
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    IRF820 description HRISSA16-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
    Hersteller: Harris Corporation
    Description: 2.5A, 500V, 3.000 OHM, N-CHANNEL
    Packaging: Bulk
    Package / Case: TO-220-3
    Mounting Type: Through Hole
    Operating Temperature: 150°C (TJ)
    Technology: MOSFET (Metal Oxide)
    FET Type: N-Channel
    Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
    Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 1.5A, 10V
    Power Dissipation (Max): 80W (Tc)
    Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
    Supplier Device Package: TO-220AB
    Part Status: Active
    Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
    Vgs (Max): ±30V
    Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
    Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
    Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 315 pF @ 25 V
    auf Bestellung 4085 Stücke:
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    343+1.57 EUR
    Mindestbestellmenge: 343 Stücke
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    10uF 160V EHR 10x13mm (EHR100M2°CB-Hitano) (Elektrolytkondensator)
    Produktcode: 50429
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    		EHR_081225.pdf
    10uF 160V EHR 10x13mm (EHR100M2°CB-Hitano) (Elektrolytkondensator)
    Hersteller: Hitano
    Kondensatoren > Kondensatoren elektrolytische THT
    Kapazität: 10 µF
    Nennspannung: 160 V
    Reihe: EHR
    Typ: Allzweck, weiter Temperaturbereich 105°C
    Temperaturbereich: -25...+105°C
    Abmessungen: 10x13 mm
    Lebensdauer: 2000 Stunden
    Zolltarifnummer: 8532 22 00 00
    verfügbar: 2240 St.
    • 60 St. - stock Köln
    • 2180 St. - lieferbar in 3-4 Wochen
    AnzahlPrivatkunde
    1+0.095 EUR
    10+0.071 EUR
    100+0.058 EUR
    1000+0.052 EUR
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    47uF 50V E°CR 6,3x11mm (E°CR470M50B-Hitano) (Elektrolytkondensator)
    Produktcode: 3509
    2 zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
    		ECR_081225.pdf
    47uF 50V E°CR 6,3x11mm (E°CR470M50B-Hitano) (Elektrolytkondensator)
    Hersteller: Hitano
    Kondensatoren > Kondensatoren elektrolytische THT
    Kapazität: 47 µF
    Nennspannung: 50 V
    Reihe: ECR
    Typ: Allzweck, für automatische Bestückung, miniatur, 85°C
    Temperaturbereich: -40...+85°C
    Abmessungen: 6x11 mm
    Lebensdauer: 2000 Stunden
    Zolltarifnummer: 8532 22 00 00
    verfügbar: 3952 St.
    • 998 St. - stock Köln
    • 2954 St. - lieferbar in 3-4 Wochen
    erwartet: 30 St.
      AnzahlPrivatkunde
      1+0.048 EUR
      10+0.036 EUR
      100+0.024 EUR
      1000+0.021 EUR
      Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
      10uF 63V EHR 5x11mm (EHR100M63B-Hitano) (Elektrolytkondensator)
      Produktcode: 3048
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      		EHR_081225.pdf
      10uF 63V EHR 5x11mm (EHR100M63B-Hitano) (Elektrolytkondensator)
      Hersteller: Hitano
      Kondensatoren > Kondensatoren elektrolytische THT
      Kapazität: 10 µF
      Nennspannung: 63 V
      Reihe: EHR
      Typ: Allzweck, weiter Temperaturbereich 105°C
      Temperaturbereich: -40...+105°C
      Abmessungen: 5x11 mm
      Lebensdauer: 2000 Stunden
      Zolltarifnummer: 8532 22 00 00
      auf Bestellung 10072 St.:
      Lieferzeit 21-28 Tag (e)
      AnzahlPrivatkunde
      1+0.048 EUR
      10+0.036 EUR
      100+0.021 EUR
      1000+0.019 EUR
      Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
      100uF 35V EHR 8x12mm (EHR101M35B-Hitano) (Elektrolytkondensator)
      Produktcode: 3016
      1 zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
      		EHR_081225.pdf
      100uF 35V EHR 8x12mm (EHR101M35B-Hitano) (Elektrolytkondensator)
      Hersteller: Hitano
      Kondensatoren > Kondensatoren elektrolytische THT
      Kapazität: 100 µF
      Nennspannung: 35 V
      Reihe: EHR
      Typ: Allzweck, weiter Temperaturbereich 105°C
      Temperaturbereich: -40...+105°C
      Abmessungen: 8x12 mm
      Lebensdauer: 2000 Stunden
      Zolltarifnummer: 8532 22 00 00
      verfügbar: 9467 St.
      • 485 St. - stock Köln
      • 8982 St. - lieferbar in 3-4 Wochen
      AnzahlPrivatkunde
      1+0.083 EUR
      10+0.071 EUR
      100+0.036 EUR
      1000+0.03 EUR
      Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
      10uF 50V EMR 5x7mm (Super miniature size) (EMR100M50B-Hitano) (Elektrolytkondensator)
      Produktcode: 2692
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      		EMR_080514.pdf
      10uF 50V EMR 5x7mm (Super miniature size) (EMR100M50B-Hitano) (Elektrolytkondensator)
      Hersteller: Hitano
      Kondensatoren > Kondensatoren elektrolytische THT
      Kapazität: 10 µF
      Nennspannung: 50 V
      Reihe: EMR
      Typ: subminiatur, 105°C
      Temperaturbereich: -40...+105°C
      Abmessungen: 5x7 mm
      Lebensdauer: 1000 Stunden
      Zolltarifnummer: 8532 22 00 00
      verfügbar: 3001 St.
      • 266 St. - stock Köln
      • 2735 St. - lieferbar in 3-4 Wochen
      AnzahlPrivatkunde
      1+0.071 EUR
      10+0.052 EUR
      100+0.027 EUR
      1000+0.025 EUR
      Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH