IRF820 ST


IRF820.pdf
Produktcode: 220162
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Hersteller: ST
Gehäuse: SOT-23
Drain-Source-Spannung Uds, V: 500 В
Drain-Strom Idd, A: 0,17 А
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 10 Ом
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 29/1,4
Montage: SMD
auf Bestellung: 20 St.
  • 20 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+1.37 EUR
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Technische Details IRF820 ST

  • Single N-Channel HEXFET Power MOSFET, Dr
  • Case style: TO-220 (a)
  • Current, Id cont: 2.5A @ 25`C
  • Current, Idm pulse: 10A
  • Power, Pd: 40W @ 25`C
  • Resistance, Rds on: 3R
  • Transistor polarity: N Channel
  • Voltage, Vds max: 500V
  • Manufacturer, abbreviated: IR
  • Pin format: 1 g 2 d/tab 3 s
  • Pitch, lead: 2.54mm
  • Power dissipation: 40W @ 25`C
  • Temperature, current: 25`C
  • Temperature, power rating: 25`C
  • Transistors, number of: 1

Möglichen Substitutionen IRF820 ST

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
IRF820 IRF820
Produktcode: 17799
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IR IRF820.pdf description Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220AB
Drain-Source-Spannung Uds, V: 500 V
Drain-Strom Idd, A: 2,5 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 3 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 360/24
Montage: THT
verfügbar: 12 St.
  • 12 St. - stock Köln
1+0.94 EUR
10+0.84 EUR
100+0.76 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF820
Produktcode: 17799
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description IRF820.pdf
Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220AB
Drain-Source-Spannung Uds, V: 500 V
Drain-Strom Idd, A: 2,5 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 3 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 360/24
Montage: THT
verfügbar: 12 St.
  • 12 St. - stock Köln
AnzahlPrivatkunde
1+0.94 EUR
10+0.84 EUR
100+0.76 EUR
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Weitere Produktangebote IRF820 nach Preis ab 1.24 EUR bis 1.68 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
IRF820 IRF820 Siliconix info-tirf820.pdf description N-MOSFET 3A 500V 50W 3Ω IRF820 TIRF820
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 200 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
20+1.68 EUR
Mindestbestellmenge: 20 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF820 IRF820 Siliconix info-tirf820.pdf description N-MOSFET 3A 500V 50W 3Ω IRF820 TIRF820
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 370 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
20+1.68 EUR
Mindestbestellmenge: 20 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF820 ONSEMI HRISSA16-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw description Description: ONSEMI - IRF820 - IRF820, SINGLE MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 3895 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
611+1.51 EUR
Mindestbestellmenge: 611 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF820 HARRIS HRISSA16-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw 91059.pdf en.CD00001545.pdf description IRF820
auf Bestellung 2650 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
429+1.54 EUR
500+1.37 EUR
1000+1.24 EUR
Mindestbestellmenge: 429 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF820 HARRIS HRISSA16-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw 91059.pdf en.CD00001545.pdf description IRF820
auf Bestellung 1355 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
429+1.54 EUR
500+1.37 EUR
1000+1.24 EUR
Mindestbestellmenge: 429 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF820 Harris Corporation HRISSA16-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw description Description: 2.5A, 500V, 3.000 OHM, N-CHANNEL
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 80W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 315 pF @ 25 V
auf Bestellung 4085 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
343+1.57 EUR
Mindestbestellmenge: 343 Stücke
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IRF820 description info-tirf820.pdf
Hersteller: Siliconix
N-MOSFET 3A 500V 50W 3Ω IRF820 TIRF820
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 200 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
20+1.68 EUR
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IRF820 description info-tirf820.pdf
Hersteller: Siliconix
N-MOSFET 3A 500V 50W 3Ω IRF820 TIRF820
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 370 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
20+1.68 EUR
Mindestbestellmenge: 20 Stücke
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IRF820 description HRISSA16-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - IRF820 - IRF820, SINGLE MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 3895 Stücke:
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IRF820 description HRISSA16-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw 91059.pdf en.CD00001545.pdf
Hersteller: HARRIS
IRF820
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429+1.54 EUR
500+1.37 EUR
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Mindestbestellmenge: 429 Stücke
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IRF820 description HRISSA16-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw 91059.pdf en.CD00001545.pdf
Hersteller: HARRIS
IRF820
auf Bestellung 1355 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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429+1.54 EUR
500+1.37 EUR
1000+1.24 EUR
Mindestbestellmenge: 429 Stücke
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IRF820 description HRISSA16-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Hersteller: Harris Corporation
Description: 2.5A, 500V, 3.000 OHM, N-CHANNEL
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 80W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 315 pF @ 25 V
auf Bestellung 4085 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
343+1.57 EUR
Mindestbestellmenge: 343 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH