IRF820 ST
Produktcode: 220162
zu Favoriten hinzufügen
Lieblingsprodukt
Hersteller: ST
Gehäuse: SOT-23
Drain-Source-Spannung Uds, V: 500 В
Drain-Strom Idd, A: 0,17 А
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 10 Ом
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 29/1,4
Montage: SMD
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben
Technische Details IRF820 ST
- Single N-Channel HEXFET Power MOSFET, Dr
- Case style: TO-220 (a)
- Current, Id cont: 2.5A @ 25`C
- Current, Idm pulse: 10A
- Power, Pd: 40W @ 25`C
- Resistance, Rds on: 3R
- Transistor polarity: N Channel
- Voltage, Vds max: 500V
- Manufacturer, abbreviated: IR
- Pin format: 1 g 2 d/tab 3 s
- Pitch, lead: 2.54mm
- Power dissipation: 40W @ 25`C
- Temperature, current: 25`C
- Temperature, power rating: 25`C
- Transistors, number of: 1
Möglichen Substitutionen IRF820 ST
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
IRF820 Produktcode: 17799
zu Favoriten hinzufügen
Lieblingsprodukt
|
IR |
Transistoren > MOSFET N-CHGehäuse: TO-220AB Drain-Source-Spannung Uds, V: 500 V Drain-Strom Idd, A: 2,5 A Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 3 Ohm Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 360/24 Montage: THT |
verfügbar: 12 St.
|
|
| IRF820 Produktcode: 17799
zu Favoriten hinzufügen
Lieblingsprodukt
|
![]() |
Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220AB
Drain-Source-Spannung Uds, V: 500 V
Drain-Strom Idd, A: 2,5 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 3 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 360/24
Montage: THT
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220AB
Drain-Source-Spannung Uds, V: 500 V
Drain-Strom Idd, A: 2,5 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 3 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 360/24
Montage: THT
verfügbar: 12 St.
- 12 St. - stock Köln
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 0.94 EUR |
| 10+ | 0.84 EUR |
| 100+ | 0.76 EUR |
Weitere Produktangebote IRF820 nach Preis ab 1.24 EUR bis 1.68 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
IRF820 | Siliconix |
N-MOSFET 3A 500V 50W 3Ω IRF820 TIRF820Anzahl je Verpackung: 10 Stücke |
auf Bestellung 200 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
|
||||||
|
|
IRF820 | Siliconix |
N-MOSFET 3A 500V 50W 3Ω IRF820 TIRF820Anzahl je Verpackung: 10 Stücke |
auf Bestellung 370 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
|
||||||
| IRF820 | ONSEMI |
Description: ONSEMI - IRF820 - IRF820, SINGLE MOSFETStariffCode: 85412900 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
auf Bestellung 3895 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
|||||||
| IRF820 | HARRIS |
IRF820 |
auf Bestellung 2650 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
|||||||
| IRF820 | HARRIS |
IRF820 |
auf Bestellung 1355 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
|||||||
| IRF820 | Harris Corporation |
Description: 2.5A, 500V, 3.000 OHM, N-CHANNELPackaging: Bulk Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 1.5A, 10V Power Dissipation (Max): 80W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220AB Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 315 pF @ 25 V |
auf Bestellung 4085 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
| IRF820 |
![]() |
auf Bestellung 200 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 20+ | 1.68 EUR |
| IRF820 |
![]() |
auf Bestellung 370 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 20+ | 1.68 EUR |
| IRF820 |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - IRF820 - IRF820, SINGLE MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
Description: ONSEMI - IRF820 - IRF820, SINGLE MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 3895 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 611+ | 1.51 EUR |
| IRF820 |
![]() |
Hersteller: HARRIS
IRF820
IRF820
auf Bestellung 2650 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 429+ | 1.54 EUR |
| 500+ | 1.37 EUR |
| 1000+ | 1.24 EUR |
| IRF820 |
![]() |
Hersteller: HARRIS
IRF820
IRF820
auf Bestellung 1355 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 429+ | 1.54 EUR |
| 500+ | 1.37 EUR |
| 1000+ | 1.24 EUR |
| IRF820 |
![]() |
Hersteller: Harris Corporation
Description: 2.5A, 500V, 3.000 OHM, N-CHANNEL
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 80W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 315 pF @ 25 V
Description: 2.5A, 500V, 3.000 OHM, N-CHANNEL
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 80W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 315 pF @ 25 V
auf Bestellung 4085 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 343+ | 1.57 EUR |



