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IRF820

IRF820 ST

IRF820.pdf
Produktcode: 220162
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Hersteller: ST
Gehäuse: SOT-23
Drain-Source-Spannung Uds, V: 500 V
Drain-Strom Idd, A: 0,17 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 10 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 29/1,4
Montage: SMD
auf Bestellung 20 St.:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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Technische Details IRF820 ST

  • Single N-Channel HEXFET Power MOSFET, Dr
  • Case style: TO-220 (a)
  • Current, Id cont: 2.5A @ 25`C
  • Current, Idm pulse: 10A
  • Power, Pd: 40W @ 25`C
  • Resistance, Rds on: 3R
  • Transistor polarity: N Channel
  • Voltage, Vds max: 500V
  • Manufacturer, abbreviated: IR
  • Pin format: 1 g 2 d/tab 3 s
  • Pitch, lead: 2.54mm
  • Power dissipation: 40W @ 25`C
  • Temperature, current: 25`C
  • Temperature, power rating: 25`C
  • Transistors, number of: 1

Möglichen Substitutionen IRF820 ST

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
IRF820 IRF820
Produktcode: 214393
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Siliconix IRF820-siliconix.pdf description Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220AB
Drain-Source-Spannung Uds, V: 500 V
Drain-Strom Idd, A: 2,5 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 3 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 360/24
Montage: THT
auf Bestellung 43 St.:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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IRF820
Produktcode: 214393
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description IRF820-siliconix.pdf
IRF820
Hersteller: Siliconix
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220AB
Drain-Source-Spannung Uds, V: 500 V
Drain-Strom Idd, A: 2,5 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 3 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 360/24
Montage: THT
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Weitere Produktangebote IRF820 nach Preis ab 0.5 EUR bis 1.65 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
IRF820 IRF820
Produktcode: 17799
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IR IRF820.pdf description Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220AB
Drain-Source-Spannung Uds, V: 500 V
Drain-Strom Idd, A: 2,5 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 3 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 360/24
Montage: THT
verfügbar: 12 St.
    1+0.6 EUR
    10+0.5 EUR
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    IRF820 IRF820 Siliconix info-tirf820.pdf description N-MOSFET 3A 500V 50W 3Ω IRF820 TIRF820
    Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
    auf Bestellung 370 Stücke:
    Lieferzeit 7-14 Tag (e)
    20+1.65 EUR
    Mindestbestellmenge: 20 Stücke
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    IRF820 HARRIS HRISSA16-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw 91059.pdf en.CD00001545.pdf description IRF820
    auf Bestellung 2650 Stücke:
    Lieferzeit 14-21 Tag (e)
    429+1.52 EUR
    500+1.34 EUR
    1000+1.21 EUR
    Mindestbestellmenge: 429 Stücke
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    IRF820 HARRIS HRISSA16-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw 91059.pdf en.CD00001545.pdf description IRF820
    auf Bestellung 1355 Stücke:
    Lieferzeit 14-21 Tag (e)
    429+1.52 EUR
    500+1.34 EUR
    1000+1.21 EUR
    Mindestbestellmenge: 429 Stücke
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    IRF820 Harris Corporation HRISSA16-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw description Description: 2.5A, 500V, 3.000 OHM, N-CHANNEL
    Packaging: Bulk
    Package / Case: TO-220-3
    Mounting Type: Through Hole
    Operating Temperature: 150°C (TJ)
    Technology: MOSFET (Metal Oxide)
    FET Type: N-Channel
    Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
    Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 1.5A, 10V
    Power Dissipation (Max): 80W (Tc)
    Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
    Supplier Device Package: TO-220AB
    Part Status: Active
    Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
    Vgs (Max): ±30V
    Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
    Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
    Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 315 pF @ 25 V
    auf Bestellung 4085 Stücke:
    Lieferzeit 10-14 Tag (e)
    343+1.57 EUR
    Mindestbestellmenge: 343 Stücke
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    IRF820
    Produktcode: 17799
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    		description IRF820.pdf
    IRF820
    Hersteller: IR
    Transistoren > MOSFET N-CH
    Gehäuse: TO-220AB
    Drain-Source-Spannung Uds, V: 500 V
    Drain-Strom Idd, A: 2,5 A
    Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 3 Ohm
    Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 360/24
    Montage: THT
    verfügbar: 12 St.
      AnzahlPrivatkunde
      1+0.6 EUR
      10+0.5 EUR
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      IRF820 description info-tirf820.pdf
      IRF820
      Hersteller: Siliconix
      N-MOSFET 3A 500V 50W 3Ω IRF820 TIRF820
      Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
      auf Bestellung 370 Stücke:
      Lieferzeit 7-14 Tag (e)
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      20+1.65 EUR
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      IRF820 description HRISSA16-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw 91059.pdf en.CD00001545.pdf
      Hersteller: HARRIS
      IRF820
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      Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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      429+1.52 EUR
      500+1.34 EUR
      1000+1.21 EUR
      Mindestbestellmenge: 429 Stücke
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      IRF820 description HRISSA16-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw 91059.pdf en.CD00001545.pdf
      Hersteller: HARRIS
      IRF820
      auf Bestellung 1355 Stücke:
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      500+1.34 EUR
      1000+1.21 EUR
      Mindestbestellmenge: 429 Stücke
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      Hersteller: Harris Corporation
      Description: 2.5A, 500V, 3.000 OHM, N-CHANNEL
      Packaging: Bulk
      Package / Case: TO-220-3
      Mounting Type: Through Hole
      Operating Temperature: 150°C (TJ)
      Technology: MOSFET (Metal Oxide)
      FET Type: N-Channel
      Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
      Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 1.5A, 10V
      Power Dissipation (Max): 80W (Tc)
      Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
      Supplier Device Package: TO-220AB
      Part Status: Active
      Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
      Vgs (Max): ±30V
      Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
      Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
      Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 315 pF @ 25 V
      auf Bestellung 4085 Stücke:
      Lieferzeit 10-14 Tag (e)
      AnzahlPrivatkunde
      343+1.57 EUR
      Mindestbestellmenge: 343 Stücke
      Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH