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IRF820

IRF820 Siliconix

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Hersteller: Siliconix
N-MOSFET 3A 500V 50W 3Ω IRF820 TIRF820
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Technische Details IRF820 Siliconix

Description: 2.5A, 500V, 3.000 OHM, N-CHANNEL, Packaging: Bulk, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 1.5A, 10V, Power Dissipation (Max): 80W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-220AB, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 315 pF @ 25 V.

Möglichen Substitutionen IRF820 Siliconix

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
IRF820 IRF820
Produktcode: 17799
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IR IRF820.pdf description Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220AB
Drain-Source-Spannung Uds, V: 500 V
Drain-Strom Idd, A: 2,5 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 3 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 360/24
Montage: THT
verfügbar: 12 St.
  • 12 St. - stock Köln
1+0.94 EUR
10+0.84 EUR
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IRF820
Produktcode: 17799
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description IRF820.pdf
IRF820
Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220AB
Drain-Source-Spannung Uds, V: 500 V
Drain-Strom Idd, A: 2,5 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 3 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 360/24
Montage: THT
verfügbar: 12 St.
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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
IRF820 IRF820
Produktcode: 17799
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IR IRF820.pdf description Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220AB
Drain-Source-Spannung Uds, V: 500 V
Drain-Strom Idd, A: 2,5 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 3 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 360/24
Montage: THT
verfügbar: 12 St.
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IRF820 IRF820 Siliconix info-tirf820.pdf description N-MOSFET 3A 500V 50W 3Ω IRF820 TIRF820
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 370 Stücke:
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IRF820 ONSEMI HRISSA16-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw description Description: ONSEMI - IRF820 - IRF820, SINGLE MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 3895 Stücke:
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IRF820 HARRIS HRISSA16-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw 91059.pdf en.CD00001545.pdf description IRF820
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429+1.52 EUR
500+1.34 EUR
1000+1.21 EUR
Mindestbestellmenge: 429 Stücke
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IRF820 HARRIS HRISSA16-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw 91059.pdf en.CD00001545.pdf description IRF820
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500+1.34 EUR
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IRF820 Harris Corporation HRISSA16-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw description Description: 2.5A, 500V, 3.000 OHM, N-CHANNEL
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 80W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 315 pF @ 25 V
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343+1.57 EUR
Mindestbestellmenge: 343 Stücke
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IRF820
Produktcode: 17799
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description IRF820.pdf
IRF820
Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220AB
Drain-Source-Spannung Uds, V: 500 V
Drain-Strom Idd, A: 2,5 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 3 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 360/24
Montage: THT
verfügbar: 12 St.
  • 12 St. - stock Köln
AnzahlPrivatkunde
1+0.94 EUR
10+0.84 EUR
100+0.76 EUR
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IRF820 description info-tirf820.pdf
IRF820
Hersteller: Siliconix
N-MOSFET 3A 500V 50W 3Ω IRF820 TIRF820
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
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IRF820 description HRISSA16-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - IRF820 - IRF820, SINGLE MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 3895 Stücke:
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IRF820 description HRISSA16-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw 91059.pdf en.CD00001545.pdf
Hersteller: HARRIS
IRF820
auf Bestellung 2650 Stücke:
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429+1.52 EUR
500+1.34 EUR
1000+1.21 EUR
Mindestbestellmenge: 429 Stücke
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IRF820 description HRISSA16-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw 91059.pdf en.CD00001545.pdf
Hersteller: HARRIS
IRF820
auf Bestellung 1355 Stücke:
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429+1.52 EUR
500+1.34 EUR
1000+1.21 EUR
Mindestbestellmenge: 429 Stücke
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Hersteller: Harris Corporation
Description: 2.5A, 500V, 3.000 OHM, N-CHANNEL
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 80W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 315 pF @ 25 V
auf Bestellung 4085 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
343+1.57 EUR
Mindestbestellmenge: 343 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH