IRFI9620GPBF
IRFI9620GPBF
Hersteller: Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 200V 3A TO220-3
Power Dissipation (Max): 30W (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 340 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 1.8A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Supplier Device Package: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Packaging: Tube
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
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auf Bestellung 255 Stücke
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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Technische Details IRFI9620GPBF
Description: MOSFET P-CH 200V 3A TO220-3, Power Dissipation (Max): 30W (Tc), Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 340 pF @ 15 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V, Vgs (Max): ±20V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Part Status: Active, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 1.8A, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc), FET Type: P-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Supplier Device Package: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab, Packaging: Tube, Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA.
Preis IRFI9620GPBF ab 4.55 EUR bis 6.32 EUR
 Hersteller: Vishay Trans MOSFET P-CH 200V 3A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Full-Pak
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IRFI9620GPBF Hersteller: Vishay Trans MOSFET P-CH 200V 3A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Full-Pak
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 Hersteller: Vishay Semiconductors MOSFET 200V P-CH HEXFET MOSFET
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