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Technische Details IRFIBE30GPBF Vishay
Description: VISHAY - IRFIBE30GPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 2.1 A, 3 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 800V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 2.1A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 35W, Bauform - Transistor: TO-220FP, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3ohm.
Weitere Produktangebote IRFIBE30GPBF nach Preis ab 1.3 EUR bis 6.5 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||
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IRFIBE30GPBF | Hersteller : Vishay |
 Trans MOSFET N-CH 800V 2.1A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP |
auf Bestellung 950 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRFIBE30GPBF | Hersteller : VISHAY |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 1.4A; 35W; TO220FP Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 800V Drain current: 1.4A Power dissipation: 35W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 3Ω Mounting: THT Gate charge: 78nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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IRFIBE30GPBF | Hersteller : VISHAY |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 1.4A; 35W; TO220FP Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 800V Drain current: 1.4A Power dissipation: 35W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 3Ω Mounting: THT Gate charge: 78nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced |
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IRFIBE30GPBF | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 800V 2.1A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP |
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IRFIBE30GPBF | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 800V 2.1A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP |
auf Bestellung 586 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRFIBE30GPBF | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 800V 2.1A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP |
auf Bestellung 832 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRFIBE30GPBF | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 800V 2.1A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP |
auf Bestellung 832 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRFIBE30GPBF | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 800V 2.1A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP |
auf Bestellung 550 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRFIBE30GPBF | Hersteller : Vishay Semiconductors |
MOSFET 800V N-CH HEXFET |
auf Bestellung 1030 Stücke: Lieferzeit 14-28 Tag (e) |
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IRFIBE30GPBF | Hersteller : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 800V 2.1A TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.1A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 1.3A, 10V Power Dissipation (Max): 35W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 78 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 25 V |
auf Bestellung 1888 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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IRFIBE30GPBF | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 800V 2.1A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP |
auf Bestellung 832 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRFIBE30GPBF | Hersteller : VISHAY |
Description: VISHAY - IRFIBE30GPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 2.1 A, 3 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 800V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 2.1A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 35W Bauform - Transistor: TO-220FP Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3ohm |
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