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IRFIBE30GPBF Vishay

Name: IRFIBE30GPBF
Brand: Vishay
SKU: 12931228-5
Price: 146.78 EUR
Availability: InStock

Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 800V 2.1A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP

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Technische Details IRFIBE30GPBF Vishay

Description: VISHAY - IRFIBE30GPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 2.1 A, 3 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 800V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 2.1A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 35W, Bauform - Transistor: TO-220FP, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3ohm, SVHC: Lead (07-Nov-2024).

Weitere Produktangebote IRFIBE30GPBF nach Preis ab 1.3 EUR bis 2.86 EUR

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IRFIBE30GPBF

Hersteller : Vishay

Trans MOSFET N-CH 800V 2.1A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP

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IRFIBE30GPBF

Hersteller : VISHAY

pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8BD907069CE9AA143&compId=IRFIBE30G.pdf?ci_sign=c15b139bb0cb5e69692309eff8b86ee12b4927cd

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 1.4A; 35W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 1.4A
Power dissipation: 35W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3Ω
Mounting: THT
Gate charge: 78nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke

auf Bestellung 172 Stücke:

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36+	2 EUR
40+	1.79 EUR
46+	1.59 EUR
53+	1.37 EUR
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IRFIBE30GPBF

Hersteller : VISHAY

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IRFIBE30GPBF

Hersteller : Vishay

Trans MOSFET N-CH 800V 2.1A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP

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IRFIBE30GPBF

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IRFIBE30GPBF

Hersteller : Vishay Siliconix

Description: MOSFET N-CH 800V 2.1A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 1.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 35W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 78 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 25 V

auf Bestellung 1652 Stücke:

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50+	2.71 EUR

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IRFIBE30GPBF

Hersteller : Vishay Semiconductors

MOSFETs TO220 800V 2.1A N-CH MOSFET

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Anzahl	Preis
2+	2.78 EUR
10+	2.75 EUR
25+	2.73 EUR
100+	2.46 EUR
500+	2.31 EUR
1000+	2.22 EUR
2000+	2.11 EUR

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IRFIBE30GPBF

Hersteller : Vishay

Trans MOSFET N-CH 800V 2.1A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP

auf Bestellung 528 Stücke:

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65+	2.2 EUR

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IRFIBE30GPBF

Hersteller : Vishay

Trans MOSFET N-CH 800V 2.1A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP

auf Bestellung 728 Stücke:

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Anzahl	Preis
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57+	2.49 EUR
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IRFIBE30GPBF

Hersteller : Vishay

Trans MOSFET N-CH 800V 2.1A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP

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IRFIBE30GPBF

Hersteller : VISHAY

VISH-S-A0013608752-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0

Description: VISHAY - IRFIBE30GPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 2.1 A, 3 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 35W
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)

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IRFIBE30GPBF

Hersteller : Vishay

Trans MOSFET N-CH 800V 2.1A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP

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