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IRFIBE30GPBF Vishay

Name: IRFIBE30GPBF
Brand: Vishay
SKU: 12931228-5
Price: 149.49 EUR
Availability: InStock

Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 800V 2.1A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP

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Technische Details IRFIBE30GPBF Vishay

Description: VISHAY - IRFIBE30GPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 2.1 A, 3 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 800V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 2.1A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: -, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, Verlustleistung: 35W, SVHC: Lead (04-Feb-2026), Bauform - Transistor: TO-220FP, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3ohm.

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Vishay

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Vishay Siliconix

Description: MOSFET N-CH 800V 2.1A TO220-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 78 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-220-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 35W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 1.3A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.1A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Packaging: Tube

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Vishay Semiconductors

MOSFETs TO220 800V 2.1A N-CH MOSFET

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Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 25 V
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Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
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Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-220-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 35W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 1.3A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.1A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
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