IRFL4310TRPBF
Produktcode: 53875
Hersteller: IRUds,V: 100 V
Idd,A: 1,6 A
Rds(on), Ohm: 0,20 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 330/25
JHGF: SMD
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Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||||||
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IRFL4310TRPBF | Hersteller : Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 100V 2.2A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
auf Bestellung 52500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRFL4310TRPBF | Hersteller : Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 100V 2.2A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
auf Bestellung 52500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRFL4310TRPBF | Hersteller : Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 100V 2.2A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
auf Bestellung 2170 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRFL4310TRPBF | Hersteller : Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 100V 2.2A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
auf Bestellung 2516 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRFL4310TRPBF | Hersteller : Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 100V 2.2A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
auf Bestellung 2516 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRFL4310TRPBF | Hersteller : Infineon Technologies | MOSFETs MOSFT 100V 1.6A 200mOhm 17nC |
auf Bestellung 7370 Stücke: Lieferzeit 80-84 Tag (e) |
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IRFL4310TRPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 100V 1.6A SOT223 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.6A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 1.6A, 10V Power Dissipation (Max): 1W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-223 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 330 pF @ 25 V |
auf Bestellung 148 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IRFL4310TRPBF | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - IRFL4310TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 1.6 A, 0.2 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 1.6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 1W Bauform - Transistor: SOT-223 Anzahl der Pins: 4Pins Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.2ohm |
auf Bestellung 1120 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRFL4310TRPBF | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - IRFL4310TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 1.6 A, 0.2 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 1.6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 1W Bauform - Transistor: SOT-223 Anzahl der Pins: 4Pins Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.2ohm |
auf Bestellung 1120 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRFL4310TRPBF | Hersteller : Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 100V 2.2A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
auf Bestellung 52500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRFL4310TRPBF | Hersteller : Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 100V 2.2A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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IRFL4310TRPBF | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 1.6A; 2.1W; SOT223 Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 1.6A Power dissipation: 2.1W Case: SOT223 Mounting: SMD Kind of package: reel Kind of channel: enhanced Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke |
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IRFL4310TRPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 100V 1.6A SOT223 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.6A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 1.6A, 10V Power Dissipation (Max): 1W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-223 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 330 pF @ 25 V |
Produkt ist nicht verfügbar |
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IRFL4310TRPBF | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 1.6A; 2.1W; SOT223 Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 1.6A Power dissipation: 2.1W Case: SOT223 Mounting: SMD Kind of package: reel Kind of channel: enhanced |
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BZX84-C18 Produktcode: 9995 |
Hersteller: NXP
Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Zenerdioden
Gehäuse: SOT-23
Ustab.,V: 18
Istab.direkt,A: 0,022
Pmax: 0,4
Монтаж: SMD
Температурний коефіцієнт: 14.4mV/K
Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Zenerdioden
Gehäuse: SOT-23
Ustab.,V: 18
Istab.direkt,A: 0,022
Pmax: 0,4
Монтаж: SMD
Температурний коефіцієнт: 14.4mV/K
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680uF 35V EXR 13x21mm (low imp.) (EXR681M35B-Hitano) (Elektrolytkondensator niedrige Impedanz) Produktcode: 19020 |
Hersteller: Hitano
Kondensatoren > Kondensatoren elektrolytische THT
Kapazität: 680uF
Nennspannung: 35V
Reihe: EXR-niedrige Impedanz
Temp.Bereich: -40...+105°C
Abmessungen: 13x21mm
Lebensdauer: 5000 Stunden
№ 8: 5000 годин
8532 22 00 00
Kondensatoren > Kondensatoren elektrolytische THT
Kapazität: 680uF
Nennspannung: 35V
Reihe: EXR-niedrige Impedanz
Temp.Bereich: -40...+105°C
Abmessungen: 13x21mm
Lebensdauer: 5000 Stunden
№ 8: 5000 годин
8532 22 00 00
verfügbar: 50 Stück
erwartet:
2000 Stück
2000 Stück - erwartet 30.11.2024
Anzahl | Preis ohne MwSt |
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1+ | 0.24 EUR |
10+ | 0.2 EUR |
100+ | 0.18 EUR |
1000+ | 0.16 EUR |
IRLML0100TRPBF Produktcode: 38413 |
Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: SOT-23
Uds,V: 100
Idd,A: 01.06.2015
Rds(on), Ohm: 0.22
Ciss, pF/Qg, nC: 05.02.290
Bem.: Керування логічним рівнем
JHGF: SMD
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: SOT-23
Uds,V: 100
Idd,A: 01.06.2015
Rds(on), Ohm: 0.22
Ciss, pF/Qg, nC: 05.02.290
Bem.: Керування логічним рівнем
JHGF: SMD
verfügbar: 2858 Stück
180 Stück - stock Köln
2678 Stück - lieferbar in 3-4 Wochen
2678 Stück - lieferbar in 3-4 Wochen
Anzahl | Preis ohne MwSt |
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1+ | 0.24 EUR |
10+ | 0.2 EUR |
100+ | 0.14 EUR |
Taste Takt SWT-2/5 (KLS7-TS6601-H2=5.0) Produktcode: 48413 |
Hersteller: KLS
Passive Bauelemente > Tasten/Knöpfe und Tastatur
Gruppe: Taste
Ausgabe/SMD: THT
Abmessungen, mm: 6х6mm, Stammhöhe 5mm
Stammhöhe, mm: 5mm
Beschreibung: Taste
Контакти: SPST-NO
Алгоритм роботи: OFF-(ON)
Passive Bauelemente > Tasten/Knöpfe und Tastatur
Gruppe: Taste
Ausgabe/SMD: THT
Abmessungen, mm: 6х6mm, Stammhöhe 5mm
Stammhöhe, mm: 5mm
Beschreibung: Taste
Контакти: SPST-NO
Алгоритм роботи: OFF-(ON)
verfügbar: 4134 Stück
989 Stück - stock Köln
3145 Stück - lieferbar in 3-4 Wochen
3145 Stück - lieferbar in 3-4 Wochen
Anzahl | Preis ohne MwSt |
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1+ | 0.16 EUR |
10+ | 0.12 EUR |
100+ | 0.067 EUR |
1000+ | 0.062 EUR |
ES1D Produktcode: 175546 |
Hersteller: Vishay/Yongyutai
Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Dioden superschnelle
Gehäuse: SMA/DO-214AC
Vrr, V: 200 V
Iav, A: 1 A
Trr, ns: 20 ns
Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Dioden superschnelle
Gehäuse: SMA/DO-214AC
Vrr, V: 200 V
Iav, A: 1 A
Trr, ns: 20 ns
auf Bestellung 11 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)erwartet 388 Stück: