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IRFL4310TRPBF

IRFL4310TRPBF

irfl4310pbf.pdf
Produktcode: 53875
Hersteller: IR
Gehäuse: SOT-223
Uds,V: 100 V
Idd,A: 1,6 A
Rds(on), Ohm: 0,20 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 330/25
JHGF: SMD
auf Bestellung 26 St.:
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IRFL4310TRPBF IRFL4310TRPBF Hersteller : Infineon Technologies irfl4310pbf.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 2.2A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
auf Bestellung 92500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
2500+0.23 EUR
5000+0.22 EUR
7500+0.21 EUR
12500+0.19 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
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IRFL4310TRPBF IRFL4310TRPBF Hersteller : Infineon Technologies irfl4310pbf.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 2.2A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
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5000+0.22 EUR
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IRFL4310TRPBF IRFL4310TRPBF Hersteller : Infineon Technologies irfl4310pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153562804ba1fbc Description: MOSFET N-CH 100V 1.6A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 1.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 330 pF @ 25 V
auf Bestellung 7500 Stücke:
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2500+0.39 EUR
5000+0.36 EUR
7500+0.34 EUR
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IRFL4310TRPBF IRFL4310TRPBF Hersteller : Infineon Technologies irfl4310pbf.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 2.2A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
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147+1.43 EUR
200+0.73 EUR
500+0.54 EUR
1000+0.52 EUR
2000+0.38 EUR
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IRFL4310TRPBF IRFL4310TRPBF Hersteller : Infineon Technologies Infineon_IRFL4310_DataSheet_v01_01_EN.pdf MOSFETs MOSFT 100V 1.6A 200mOhm 17nC
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2+1.45 EUR
10+0.9 EUR
100+0.59 EUR
500+0.45 EUR
1000+0.41 EUR
2500+0.35 EUR
5000+0.33 EUR
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IRFL4310TRPBF IRFL4310TRPBF Hersteller : Infineon Technologies irfl4310pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153562804ba1fbc Description: MOSFET N-CH 100V 1.6A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 1.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 330 pF @ 25 V
auf Bestellung 9982 Stücke:
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13+1.46 EUR
20+0.91 EUR
100+0.59 EUR
500+0.45 EUR
1000+0.41 EUR
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IRFL4310TRPBF IRFL4310TRPBF Hersteller : Infineon Technologies irfl4310pbf.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 2.2A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
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IRFL4310TRPBF IRFL4310TRPBF Hersteller : INFINEON 671655.pdf Description: INFINEON - IRFL4310TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 1.6 A, 0.2 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 1.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.2ohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
auf Bestellung 2209 Stücke:
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IRFL4310TRPBF IRFL4310TRPBF Hersteller : Infineon Technologies irfl4310pbf.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 2.2A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
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IRFL4310TRPBF IRFL4310TRPBF Hersteller : INFINEON 671655.pdf Description: INFINEON - IRFL4310TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 1.6 A, 0.2 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 1.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.2ohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
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IRFL4310TRPBF IRFL4310TRPBF Hersteller : Infineon Technologies irfl4310pbf.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 2.2A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
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IRFL4310TRPBF IRFL4310TRPBF Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES irfl4310pbf.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 1.6A; 2.1W; SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 1.6A
Power dissipation: 2.1W
Case: SOT223
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
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1N5408
Produktcode: 2135
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1N5400-1N5408.pdf
1N5408
Hersteller: YJ/MIC
Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Gleichrichter- und Schaltdioden
Gehäuse: DO-201
Urev.,V: 1000
Iausricht.,А: 3
Beschreibung: GleichrichterVR=1000 B, IF =3A, IFSM =200A
Austauschbar: 1N5400, 1N5401, 1N5402, 1N5403, 1N5404, 1N5405, 1N5406, 1N5407
Монтаж: THT
Падіння напруги Vf: 1,2 V
verfügbar: 8564 St.
65 St. - stock Köln
8499 St. - lieferbar in 3-4 Wochen
Anzahl Preis
1+0.069 EUR
10+0.049 EUR
100+0.044 EUR
1000+0.042 EUR
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47 kOhm 5% 0,125W 150V 0805 (Widerstand/Resistor SMD)
Produktcode: 1719
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RC_series.pdf
47 kOhm 5% 0,125W 150V 0805 (Widerstand/Resistor SMD)
Hersteller: Hitano
Widerstande SMD > SMD-Widerstande 0805
Resistenz: 47 kOhm
Präzision: ±5% J
P Nenn.,W: 0,125W
U Betriebs.,V: 150V
Größe Typ: 0805
verfügbar: 34150 St.
5000 St. - stock Köln
29150 St. - lieferbar in 3-4 Wochen
Anzahl Preis
10+0.0038 EUR
100+0.0024 EUR
1000+0.0017 EUR
Mindestbestellmenge: 10
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39 kOhm 5% 0,125W 150V 0805 (Widerstand/Resistor SMD)
Produktcode: 1607
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RC_series.pdf
39 kOhm 5% 0,125W 150V 0805 (Widerstand/Resistor SMD)
Hersteller: Hitano
Widerstande SMD > SMD-Widerstande 0805
Resistenz: 39 kOhm
Präzision: ±5% J
P Nenn.,W: 0,125W
U Betriebs.,V: 150V
Größe Typ: 0805
verfügbar: 4352 St.
4187 St. - stock Köln
165 St. - lieferbar in 3-4 Wochen
erwartet: 20000 St.
20000 St. - erwartet 10.05.2026
Anzahl Preis
10+0.0038 EUR
100+0.0024 EUR
1000+0.0017 EUR
Mindestbestellmenge: 10
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12 kOhm 5% 0,125W 150V 0805 (Widerstand/Resistor SMD)
Produktcode: 1402
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RC_series.pdf
12 kOhm 5% 0,125W 150V 0805 (Widerstand/Resistor SMD)
Hersteller: Hitano
Widerstande SMD > SMD-Widerstande 0805
Resistenz: 12 kOhm
Präzision: ±5% J
P Nenn.,W: 0,125W
U Betriebs.,V: 150V
Größe Typ: 0805
verfügbar: 10496 St.
1200 St. - stock Köln
9296 St. - lieferbar in 3-4 Wochen
Anzahl Preis
10+0.0038 EUR
100+0.0024 EUR
1000+0.0017 EUR
Mindestbestellmenge: 10
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
LM2901N
Produktcode: 1277
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suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=http%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Flm339 NATLS13283-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw en.CD00000532.pdf LM339%2C239%2C2901%28V%29%2CNCV2901%2CMC3302.pdf
LM2901N
Hersteller: TI
IC > IC Vergleicher
Gehäuse: DIP-14
Beschreibung: Anzahl Kanale: 4; U-Strom, V: ±18; tз, нс: 300; Typ-Ausgang: OK; Uсм, мV: 7; I-verbr., mA: 2;
Udss,V: ±18 V
Id,A: 0.006 A
Bemerkung: -40...+125°C
verfügbar: 38 St.
25 St. - stock Köln
13 St. - lieferbar in 3-4 Wochen
Anzahl Preis
1+0.24 EUR
10+0.18 EUR
100+0.14 EUR
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