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IRFL4310TRPBF

IRFL4310TRPBF

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Produktcode: 53875
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Hersteller: IR
Gehäuse: SOT-223
Drain-Source-Spannung Uds, V: 100 В
Drain-Strom Idd, A: 1,6 А
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,20 Ом
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 330/25
Montage: SMD
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IRFL4310TRPBF IRFL4310TRPBF Infineon Technologies irfl4310pbf.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 2.2A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
auf Bestellung 22500 Stücke:
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2500+0.39 EUR
5000+0.35 EUR
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IRFL4310TRPBF IRFL4310TRPBF Infineon Technologies irfl4310pbf.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 2.2A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
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IRFL4310TRPBF IRFL4310TRPBF Infineon Technologies irfl4310pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153562804ba1fbc Description: MOSFET N-CH 100V 1.6A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 1.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 330 pF @ 25 V
auf Bestellung 7500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2500+0.45 EUR
5000+0.42 EUR
7500+0.4 EUR
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IRFL4310TRPBF IRFL4310TRPBF Infineon Technologies irfl4310pbf.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 2.2A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
auf Bestellung 7500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2500+0.49 EUR
5000+0.44 EUR
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IRFL4310TRPBF IRFL4310TRPBF Infineon Technologies irfl4310pbf.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 2.2A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
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IRFL4310TRPBF IRFL4310TRPBF Infineon Technologies irfl4310pbf.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 2.2A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
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IRFL4310TRPBF IRFL4310TRPBF Infineon Technologies irfl4310pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153562804ba1fbc Description: MOSFET N-CH 100V 1.6A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 1.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 330 pF @ 25 V
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IRFL4310TRPBF IRFL4310TRPBF Infineon Technologies Infineon_IRFL4310_DataSheet_v01_01_EN.pdf MOSFETs MOSFT 100V 1.6A 200mOhm 17nC
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IRFL4310TRPBF IRFL4310TRPBF INFINEON 671655.pdf Description: INFINEON - IRFL4310TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 1.6 A, 0.2 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 1.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 1W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.2ohm
auf Bestellung 2504 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
118+2.12 EUR
186+1.25 EUR
285+0.75 EUR
500+0.58 EUR
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Mindestbestellmenge: 118 Stücke
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IRFL4310TRPBF IRFL4310TRPBF INFINEON 671655.pdf Description: INFINEON - IRFL4310TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 1.6 A, 0.2 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 1.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 1W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.2ohm
auf Bestellung 2504 Stücke:
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IRFL4310TRPBF IRFL4310TRPBF Infineon Technologies irfl4310pbf.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 2.2A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
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IRFL4310TRPBF IRFL4310TRPBF Infineon Technologies irfl4310pbf.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 2.2A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 2.2A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
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5000+0.35 EUR
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 2.2A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
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IRFL4310TRPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 100V 1.6A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 1.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 330 pF @ 25 V
auf Bestellung 7500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
2500+0.45 EUR
5000+0.42 EUR
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 2.2A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
auf Bestellung 7500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
2500+0.49 EUR
5000+0.44 EUR
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Trans MOSFET N-CH Si 100V 2.2A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
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2500+0.49 EUR
5000+0.44 EUR
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Trans MOSFET N-CH Si 100V 2.2A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
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AnzahlPrivatkunde
179+0.99 EUR
254+0.68 EUR
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Mindestbestellmenge: 179 Stücke
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Trans MOSFET N-CH Si 100V 2.2A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
auf Bestellung 1320 Stücke:
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119+1.49 EUR
179+0.95 EUR
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IRFL4310TRPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 100V 1.6A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 1.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 330 pF @ 25 V
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Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFT 100V 1.6A 200mOhm 17nC
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500+0.63 EUR
1000+0.55 EUR
2500+0.49 EUR
25000+0.39 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
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IRFL4310TRPBF
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRFL4310TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 1.6 A, 0.2 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 1.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 1W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.2ohm
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118+2.12 EUR
186+1.25 EUR
285+0.75 EUR
500+0.58 EUR
1000+0.52 EUR
Mindestbestellmenge: 118 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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IRFL4310TRPBF
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRFL4310TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 1.6 A, 0.2 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 1.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 1W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.2ohm
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IRFL4310TRPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 2.2A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
auf Bestellung 43 Stücke:
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 2.2A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
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47 kOhm 5% 0,125W 150V 0805 (RC0805JR-47KR-Hitano) (Widerstand SMD)
Produktcode: 1719
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47 kOhm 5% 0,125W 150V 0805 (RC0805JR-47KR-Hitano) (Widerstand SMD)
Hersteller: Hitano
Widerstande SMD > SMD-Widerstande 0805
Nennwert: 47 kOhm
Toleranz: ±5% J
P Nenn., W: 0,125 W
U Betrieb, V: 150 V
Bauform: 0805
verfügbar: 31440 St.
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AnzahlPrivatkunde
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39 kOhm 5% 0,125W 150V 0805 (RC0805JR-39K-Hitano) (Widerstand SMD)
Produktcode: 1607
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39 kOhm 5% 0,125W 150V 0805 (RC0805JR-39K-Hitano) (Widerstand SMD)
Hersteller: Hitano
Widerstande SMD > SMD-Widerstande 0805
Nennwert: 39 kOhm
Toleranz: ±5% J
P Nenn., W: 0,125 W
U Betrieb, V: 150 V
Bauform: 0805
verfügbar: 23852 St.
  • 4187 St. - stock Köln
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AnzahlPrivatkunde
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Mindestbestellmenge: 10 St.
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
12 kOhm 5% 0,125W 150V 0805 (RC0805JR-12K-Hitano) (Widerstand SMD)
Produktcode: 1402
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12 kOhm 5% 0,125W 150V 0805 (RC0805JR-12K-Hitano) (Widerstand SMD)
Hersteller: Hitano
Widerstande SMD > SMD-Widerstande 0805
Nennwert: 12 kOhm
Toleranz: ±5% J
P Nenn., W: 0,125 W
U Betrieb, V: 150 V
Bauform: 0805
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LM2901N
Produktcode: 1277
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LM2901N
Hersteller: TI
IC > IC Vergleicher
Gehäuse: DIP-14
Funktionsbeschreibung: Kanäle: 4; Vsup, V: ±18; tpd, ns: 300; Ausgang: OK; Voffset, mV: 7; Isup, mA: 2;
Versorgungsspannung Udss, V: ±18 В
Strom Id, A: 0,006 A
Temperaturbereich: -40...+125°C
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100 kOhm 5% 0,125W 150V 0805 (RC0805JR-100KR) (Widerstand SMD)
Produktcode: 1215
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RC_series.pdf
100 kOhm 5% 0,125W 150V 0805 (RC0805JR-100KR) (Widerstand SMD)
Hersteller: Hitano
Widerstande SMD > SMD-Widerstande 0805
Nennwert: 100 kOhm
Toleranz: ±5% J
P Nenn., W: 0,125 W
U Betrieb, V: 150 V
Bauform: 0805
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