IRFR110TRPBF
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Technische Details IRFR110TRPBF
Description: MOSFET N-CH 100V 4.3A DPAK, Vgs (Max): ±20V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.3nC @ 10V, Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 540mOhm @ 2.6A, 10V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.3A (Tc), Drain to Source Voltage (Vdss): 100V, Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Part Status: Active, Packaging: Digi-Reel® (Zusätzliche Zahlung für die Spule beträgt 7 $), Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 180pF @ 25V, Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 25W (Tc), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount, Supplier Device Package: D-Pak, Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63.
Preis IRFR110TRPBF ab 0.68 EUR bis 2.1 EUR
 Hersteller: Vishay Semiconductors MOSFET N-Chan 100V 4.3 Amp 
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auf Bestellung 1853 Stücke Lieferzeit 14-28 Tag (e) |
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 Hersteller: Vishay Trans MOSFET N-CH 100V 4.3A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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9000 Stücke |
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IRFR110TRPBF Hersteller: VISHAY Material: IRFR110TRPBF SMD N channel transistors
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 Hersteller: VISHAY Description: VISHAY - IRFR110TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 4.3 A, 0.54 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100 Dauer-Drainstrom Id: 4.3 Rds(on)-Messspannung Vgs: 10 MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung Pd: 25 Bauform - Transistor: TO-252AA Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: - Wandlerpolarität: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.54 Betriebstemperatur, max.: 150 Schwellenspannung Vgs: 4 SVHC: Lead (19-Jan-2021)
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1400 Stücke |
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IRFR110TRPBF Hersteller: IRFR110 MOSFET N-CH 100V 4.3A DPAK
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IRFR110TRPBF Hersteller: IRFR110 MOSFET N-CH 100V 4.3A DPAK
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IRFR110TRPBF Hersteller: VISHAY Material: IRFR110TRPBF SMD N channel transistors
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IRFR110TRPBF Hersteller: Vishay Trans MOSFET N-CH 100V 4.3A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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 Hersteller: Vishay Siliconix Description: MOSFET N-CH 100V 4.3A DPAK Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 25W (Tc) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 180 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.3 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Active Rds On (Max) @ Id, Vgs: 540mOhm @ 2.6A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.3A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Supplier Device Package: D-Pak Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Packaging: Tape & Reel (TR)
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Hersteller: Vishay Siliconix Description: MOSFET N-CH 100V 4.3A DPAK Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 540mOhm @ 2.6A, 10V FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Packaging: Cut Tape (CT) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 180 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.3 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Active Supplier Device Package: D-Pak Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 25W (Tc) Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.3A (Tc)
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 Hersteller: Vishay Siliconix Description: MOSFET N-CH 100V 4.3A DPAK Vgs (Max): ±20V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.3nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Rds On (Max) @ Id, Vgs: 540mOhm @ 2.6A, 10V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.3A (Tc) Drain to Source Voltage (Vdss): 100V Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Part Status: Active Packaging: Digi-Reel® (Zusätzliche Zahlung für die Spule beträgt 7 $) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 180pF @ 25V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 25W (Tc) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Supplier Device Package: D-Pak Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
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auf Bestellung 4184 Stücke Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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