Weitere Produktangebote IRFR110TRPBF nach Preis ab 0.39 EUR bis 3.1 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Preis |
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IRFR110TRPBF | Vishay |
Trans MOSFET N-CH 100V 4.3A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
auf Bestellung 1140 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRFR110TRPBF | Vishay |
Trans MOSFET N-CH 100V 4.3A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
auf Bestellung 1140 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRFR110TRPBF | Vishay |
Trans MOSFET N-CH 100V 4.3A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
auf Bestellung 14000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRFR110TRPBF | Vishay |
Trans MOSFET N-CH 100V 4.3A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
auf Bestellung 14000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRFR110TRPBF | Vishay |
Trans MOSFET N-CH 100V 4.3A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
auf Bestellung 1548 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRFR110TRPBF | Vishay Semiconductors |
MOSFETs N-Chan 100V 4.3 Amp |
auf Bestellung 3361 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IRFR110TRPBF | Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 100V 4.3A DPAKPackaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.3A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 540mOhm @ 2.6A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 25W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: DPAK Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.3 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 180 pF @ 25 V |
auf Bestellung 2387 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IRFR110TRPBF | VISHAY |
Description: VISHAY - IRFR110TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 4.3 A, 0.54 ohm, TO-252AA, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 4.3A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 25W Bauform - Transistor: TO-252AA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.54ohm SVHC: Lead (21-Jan-2025) |
auf Bestellung 859 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| IRFR110TRPBF |
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Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 100V 4.3A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Trans MOSFET N-CH 100V 4.3A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 1140 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 246+ | 0.6 EUR |
| 248+ | 0.58 EUR |
| 260+ | 0.54 EUR |
| 263+ | 0.52 EUR |
| 500+ | 0.49 EUR |
| 1000+ | 0.45 EUR |
| IRFR110TRPBF |
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Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 100V 4.3A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Trans MOSFET N-CH 100V 4.3A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 1140 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 222+ | 0.66 EUR |
| 246+ | 0.57 EUR |
| 248+ | 0.55 EUR |
| 260+ | 0.5 EUR |
| 263+ | 0.48 EUR |
| 500+ | 0.43 EUR |
| 1000+ | 0.39 EUR |
| IRFR110TRPBF |
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Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 100V 4.3A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Trans MOSFET N-CH 100V 4.3A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 14000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 2000+ | 0.66 EUR |
| 4000+ | 0.61 EUR |
| 6000+ | 0.59 EUR |
| 10000+ | 0.56 EUR |
| 14000+ | 0.55 EUR |
| IRFR110TRPBF |
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Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 100V 4.3A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Trans MOSFET N-CH 100V 4.3A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 14000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 2000+ | 0.66 EUR |
| 4000+ | 0.6 EUR |
| 6000+ | 0.57 EUR |
| 10000+ | 0.53 EUR |
| 14000+ | 0.51 EUR |
| IRFR110TRPBF |
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Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 100V 4.3A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Trans MOSFET N-CH 100V 4.3A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 1548 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 84+ | 1.75 EUR |
| 119+ | 1.22 EUR |
| 163+ | 0.87 EUR |
| 500+ | 0.7 EUR |
| 1000+ | 0.64 EUR |
| IRFR110TRPBF |
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Hersteller: Vishay Semiconductors
MOSFETs N-Chan 100V 4.3 Amp
MOSFETs N-Chan 100V 4.3 Amp
auf Bestellung 3361 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 2+ | 2.64 EUR |
| 10+ | 1.61 EUR |
| 100+ | 1.07 EUR |
| 500+ | 0.84 EUR |
| 1000+ | 0.78 EUR |
| 10000+ | 0.76 EUR |
| IRFR110TRPBF |
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Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 100V 4.3A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 540mOhm @ 2.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 180 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 100V 4.3A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 540mOhm @ 2.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 180 pF @ 25 V
auf Bestellung 2387 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 6+ | 3.1 EUR |
| 10+ | 1.97 EUR |
| 100+ | 1.33 EUR |
| 500+ | 1.05 EUR |
| 1000+ | 0.96 EUR |
| IRFR110TRPBF |
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Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - IRFR110TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 4.3 A, 0.54 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 25W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.54ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
Description: VISHAY - IRFR110TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 4.3 A, 0.54 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 25W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.54ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
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| 1ED2147S65FXUMA1 Produktcode: 220033
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| 2604-1102 клемник Produktcode: 211479
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Lieblingsprodukt
|
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| 7,5 Ohm 5% 3/4W 200V 2010 (RC2010JK-7R5-Hitano) Produktcode: 164971
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Lieblingsprodukt
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Hersteller: Hitano
Widerstande SMD > SMD-Widerstande 2010
Resistenz: 7,5 Ohm
Präzision: ±5%
P Nenn.,W: 0,75 W
U Betriebs.,V: 200 V
Größe Typ: 2010
Widerstande SMD > SMD-Widerstande 2010
Resistenz: 7,5 Ohm
Präzision: ±5%
P Nenn.,W: 0,75 W
U Betriebs.,V: 200 V
Größe Typ: 2010
auf Bestellung 3580 St.:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
| DRB-9M (09651626813-Harting) Produktcode: 57330
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Lieblingsprodukt
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Hersteller: HARTING
Steckverbinder, Reihenklemmen > Steckverbindungen Interface (außer USB, SATA)
Beschreibung: D-SUB Stifte auf Platte eckig (komp.-Interface) 2-х Reihen, 9 Kontakte
Stecker oder Steckdose: Stecker
Anzahl, Kontakte: 9
Серія: DRB
Механічний монтаж: На плату
Орієнтація в просторі: Кутовий
Steckverbinder, Reihenklemmen > Steckverbindungen Interface (außer USB, SATA)
Beschreibung: D-SUB Stifte auf Platte eckig (komp.-Interface) 2-х Reihen, 9 Kontakte
Stecker oder Steckdose: Stecker
Anzahl, Kontakte: 9
Серія: DRB
Механічний монтаж: На плату
Орієнтація в просторі: Кутовий
Produkt ist nicht verfügbar
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 1+ | 1.68 EUR |
| 10+ | 1.54 EUR |
| MMSD4148T1G Produktcode: 41873
1
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Lieblingsprodukt
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Hersteller: ON
Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Gleichrichter- und Schaltdioden
Gehäuse: SOD-123
Urev.,V: 100
Iausricht.,А: 01.02.2000
Монтаж: SMD
Падіння напруги Vf: 1 V
Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Gleichrichter- und Schaltdioden
Gehäuse: SOD-123
Urev.,V: 100
Iausricht.,А: 01.02.2000
Монтаж: SMD
Падіння напруги Vf: 1 V
auf Bestellung 1924 St.:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 1+ | 0.06 EUR |
| 10+ | 0.05 EUR |
| 100+ | 0.042 EUR |
| 1000+ | 0.034 EUR |








