Weitere Produktangebote IRFR110TRPBF nach Preis ab 0.38 EUR bis 3.1 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||||||||
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IRFR110TRPBF | Hersteller : Vishay |
 Trans MOSFET N-CH 100V 4.3A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
auf Bestellung 1305 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRFR110TRPBF | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 100V 4.3A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
auf Bestellung 1305 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRFR110TRPBF | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 100V 4.3A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
auf Bestellung 4000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRFR110TRPBF | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 100V 4.3A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
auf Bestellung 4000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRFR110TRPBF | Hersteller : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 100V 4.3A DPAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.3A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 540mOhm @ 2.6A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 25W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: DPAK Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.3 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 180 pF @ 25 V |
auf Bestellung 2387 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IRFR110TRPBF | Hersteller : VISHAY |
Description: VISHAY - IRFR110TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 4.3 A, 0.54 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 4.3A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 25W Bauform - Transistor: TO-252AA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.54ohm SVHC: Lead (21-Jan-2025) |
auf Bestellung 859 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRFR110TRPBF | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 100V 4.3A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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IRFR110TRPBF | Hersteller : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 100V 4.3A DPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.3A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 540mOhm @ 2.6A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 25W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: DPAK Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.3 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 180 pF @ 25 V |
Produkt ist nicht verfügbar |
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IRFR110TRPBF | Hersteller : Vishay Semiconductors |
MOSFETs N-Chan 100V 4.3 Amp |
Produkt ist nicht verfügbar |
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IRFR110TRPBF | Hersteller : VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 2.7A; Idm: 17A; 25W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 2.7A Pulsed drain current: 17A Power dissipation: 25W Case: DPAK; TO252 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.54Ω Mounting: SMD Gate charge: 8.3nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement |
Produkt ist nicht verfügbar |