IRFR1N60APBF

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Hersteller: Vishay Semiconductors
MOSFET N-Chan 600V 1.4 Amp
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Technische Details IRFR1N60APBF

Description: MOSFET N-CH 600V 1.4A DPAK, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Part Status: Active, Supplier Device Package: D-Pak, Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Power Dissipation (Max): 36W (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7Ohm @ 840mA, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.4A (Tc), FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 229 pF @ 25 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V, Vgs (Max): ±30V, Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Packaging: Tube.

Preis IRFR1N60APBF ab 2.52 EUR bis 4.37 EUR

IRFR1N60APBF
IRFR1N60APBF
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 600V 1.4A 3-Pin(2+Tab) DPAK
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2 Stücke
IRFR1N60APBF
Hersteller: VISHAY
Material: IRFR1N60APBF SMD N channel transistors
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IRFR1N60APBF
Hersteller: VISHAY
Material: IRFR1N60APBF SMD N channel transistors
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IRFR1N60APBF
Hersteller:
IRFR1N60A MOSFET N-CH 600V 1.4A DPAK
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IRFR1N60APBF
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 600V 1.4A 3-Pin(2+Tab) DPAK
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IRFR1N60APBF
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 600V 1.4A 3-Pin(2+Tab) DPAK
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IRFR1N60APBF
IRFR1N60APBF
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 600V 1.4A DPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: D-Pak
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 36W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7Ohm @ 840mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.4A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 229 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±30V
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tube
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