IRFR220TRLPBF

IRFR220TRLPBF

Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 200V 4.8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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Technische Details IRFR220TRLPBF

Description: MOSFET N-CH 200V 4.8A DPAK, Packaging: Digi-Reel® (Zusätzliche Zahlung für die Spule beträgt 7 $), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Supplier Device Package: D-Pak, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 42W (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 800mOhm @ 2.9A, 10V, Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14nC @ 10V, Vgs (Max): ±20V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 260pF @ 25V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.8A (Tc), Drain to Source Voltage (Vdss): 200V, Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Part Status: Active.

Preis IRFR220TRLPBF ab 0.5 EUR bis 2.55 EUR

IRFR220TRLPBF
IRFR220TRLPBF
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 200V 4.8A DPAK
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: D-Pak
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 42W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 800mOhm @ 2.9A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.8A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 260 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
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Hersteller: Vishay Semiconductors
MOSFET 200V N-CH HEXFET D-PAK
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IRFR220TRLPBF
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 200V 4.8A DPAK
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: D-Pak
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 42W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 800mOhm @ 2.9A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 260 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.8A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
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Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 200V 4.8A DPAK
Packaging: Digi-Reel® (Zusätzliche Zahlung für die Spule beträgt 7 $)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Supplier Device Package: D-Pak
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 42W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 800mOhm @ 2.9A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14nC @ 10V
Vgs (Max): ±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 260pF @ 25V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.8A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 200V
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Part Status: Active
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